Zobrazeno 1 - 10
of 22
pro vyhledávání: '"P. Wrschka"'
Autor:
J. King, D. A. Hansen, Gottlieb S. Oehrlein, H. J. Sun, Tung-Sheng Kuan, P. Wrschka, M. A. Fury, J. Hernandez, Y. Hsu
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 146:2689-2696
We describe chemical mechanical polishing (CMP) of blanket and patterned aluminum films employing a polyurethane pad and a slurry based on alumina particles as the abrasive and hydrogen peroxide as the oxidizer. The experiments were conducted at pres
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::51179ae67c9b76a51abc19a3d3d97176
https://doi.org/10.1149/1.1391993
https://doi.org/10.1149/1.1391993
Autor:
Erdem Kaltalioglu, Zhijiong Luo, Victor Ku, Y. H. Lin, A. Ajmera, Seong-Dong Kim, T. Schiml, W. L. Tan, S. Marokkey, P. Wrschka, Dirk Vietzke, M. Weybright, F.F. Jamin, R. Mo, D.-G. Park, An L. Steegen, Wenhe Lin, Padraic Shafer, Terence B. Hook, V. Klee, JiYeon Ku, Rajesh Rengarajan, C. Wann, K. Kim, Jenny Lian, Andy Cowley, Victor Chan, Sunfei Fang, A. Vayshenker, K-C. Lee, Christopher V. Baiocco, I. Yang, L. Kim, Manfred Eller, Randy W. Mann, B. Zhang, C. Coppock, Mark Hoinkis, J. Sudijono, Huilong Zhu, Phung T. Nguyen
Publikováno v:
Scopus-Elsevier
This paper reports a cutting-edge 65nm CMOS technology featuring high performance and low power CMOS devices for both general and low power applications. Utilizing plasma nitrided gate oxide, off-set and slim spacers, advanced co-implants, NiSi and l
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d5455847fc85f7a2c23cdb1895e40c02
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419254
https://doi.org/10.1109/iedm.2004.1419254
Autor:
Franz, Mathias, Schubert, Ina, Junghans, Romy, Martinka, Ronny, Rudolph, Catharina, Wachsmuth, Holger, Trojan, Dan, VanDevender, Barrie, Wrschka, Peter, Christoph, Knut
Publikováno v:
ECS Transactions; July 2016, Vol. 72 Issue: 18 p17-24, 8p
Publikováno v:
Journal of The Electrochemical Society. 147:706
We describe the chemical mechanical planarization (CMP) of copper damascene structures using an IC1400 pad and four different types of slurries. Two alumina-based slurries and two silica-based slurries were evaluated. After successful removal of the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::28f51ad4cb255d82760457951c015562
https://doi.org/10.1149/1.1393256
https://doi.org/10.1149/1.1393256
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.