Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"P. Willadson"'
Autor:
Jeong-Sun Moon, Miroslav Micovic, P. Willadson, Paul Hashimoto, M. Antcliffe, C. McGuire, D. Wong, M. Hu
Publikováno v:
IEEE Electron Device Letters. 29:834-837
We report small- and large-signal performances of 140-nm gatelength field-plated GaN HEMTs at Ka-band frequencies, in which the GaN HEMTs were fabricated with n+ source contact ledge. The parasitic channel resistance is reduced by ~ 50%, whereas the
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::98213c330e4f594c0b38e6dabd7a5749
https://doi.org/10.1109/led.2008.2000792
https://doi.org/10.1109/led.2008.2000792
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Willadson, Peter
Publikováno v:
Australian Journal of Biological Sciences; Oct1977, Vol. 30 Issue 5, p411, 0p