Zobrazeno 1 - 5
of 5
pro vyhledávání: '"P. Shvansky"'
Autor:
P. P. Khokhlachev, M. M. Gadjialiev, M. I. Daunov, P. P. Shvansky, R. K. Arslanov, E. V. Kortunova
Publikováno v:
Semiconductors. 40:1255-1260
Temperature (for T = 77–400 K) and pressure (for P ≤ 8 GPa) dependences of conductivity σ(T,P). Hall coefficient R H(T, P), and Seebeck coefficient Q(T) were studied in single-crystal n-ZnO samples with the impurity concentration N i = 1017 −
Autor:
Vladimir S. Balitsky, Yu. Pisarevsky, Ph. Papet, P. Shvansky, D. V. Balitsky, Olivier Cambon, E. Philippot, A. Motchany
Publikováno v:
Acta Crystallographica Section A Foundations of Crystallography. 58:c22-c22
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials; 2000, Vol. 40 Issue: 1 p273-283, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.