Zobrazeno 1 - 10
of 111
pro vyhledávání: '"P. Ramvall"'
Autor:
C. H. Wang, G. Doornbos, G. Astromskas, G. Vellianitis, R. Oxland, M. C. Holland, M. L. Huang, C. H. Lin, C. H. Hsieh, Y. S. Chang, T. L. Lee, Y. Y. Chen, P. Ramvall, E. Lind, W. C. Hsu, L.-E. Wernersson, R. Droopad, M. Passlack, C. H. Diaz
Publikováno v:
AIP Advances, Vol 4, Iss 4, Pp 047108-047108-9 (2014)
Two high-k dielectric materials (Al2O3 and HfO2) were deposited on n-type (100) and (110) InAs surface orientations to investigate physical properties of the oxide/semiconductor interfaces and the interface trap density (Dit). X-ray photoelectron spe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/c841c504d9fa439b858a0ea944715b3b
Autor:
You, Shuzhen, Geens, Karen, Borga, Matteo, Liang, Hu, Hahn, Herwig, Fahle, Dirk, Heuken, Michael, Mukherjee, Kalparupa, De Santi, Carlo, Meneghini, Matteo, Zanoni, Enrico, Berg, Martin, Ramvall, Peter, Kumar, Ashutosh, Björk, Mikael T., Ohlsson, B. Jonas, Decoutere, Stefaan
This paper reviews recent progress and key challenges in process and reliability for high-performance vertical GaN transistors and diodes, focusing on the 200 mm CMOS-compatible technology. We particularly demonstrated the potential of using 200 mm d
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.02469
Publikováno v:
Power Electronic Devices and Components, Vol 5, Iss , Pp 100036- (2023)
The effects of N2 and O2:N2 (1:1) as ambient gases during activation annealing of Mg as p-type doping of GaN have been investigated. The purpose was to understand the mechanisms involved and especially the impact of O2 on the resulting hole concentra
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/556046fc48774401aa245d9639d76f26
We report the capability to simulate in a quantum mechanical tight-binding (TB) atomistic fashion NW devices featuring several hundred to millions of atoms and diameter up to 18 nm. Such simulations go far beyond what is typically affordable with tod
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1705.00909
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2017 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.