Zobrazeno 1 - 10
of 23
pro vyhledávání: '"P. Lölgen"'
Autor:
Arthur Weeber, F.M. Schuurmans, C. Leguijt, Pasqualina M. Sarro, P.F.A. Alkemade, J.A. Eikelboom, W.C. Sinke, P. Lölgen, L.A. Verhoef, C.H.M. Marée
Publikováno v:
Solar Energy Materials and Solar Cells. 40:297-345
Surface passivation at low processing temperatures becomes an important topic for cheap solar cell processing. In this study, we first give a broad overview of the state of the art in this field. Subsequently, the results of a series of mutually rela
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::abd659ba29eb932461e9841dd35f598d
https://doi.org/10.1016/0927-0248(95)00155-7
https://doi.org/10.1016/0927-0248(95)00155-7
Autor:
J.A. Eikelboom, A. R. Burgers, W.C. Sinke, R.A. Steeman, Pasqualina M. Sarro, C. Leguijt, P. Lölgen, P.F.A. Alkemade
Publikováno v:
Journal of Applied Physics. 78:6596-6603
The efficiency of silicon solar cells can be increased by reducing the recombination of minority carriers at the backsurface of a cell. This can be achieved by application of a low‐high junction, commonly called a backsurface field (BSF). The depen
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c714f31bbb9fe92e15df4f8d9239e657
https://doi.org/10.1063/1.360481
https://doi.org/10.1063/1.360481
Autor:
C. Leguijt, J.A. Eikelboom, W.C. Sinke, P.-P. Michiels, R.A. Steeman, P. Lölgen, L.A. Verhoef, Ajeet Rohatgi, Pasqualina M. Sarro, Z. Chen, P.H. Amesz
Publikováno v:
Solar Energy Materials and Solar Cells. 34:177-181
In this paper we present the first measurements of very low surface recombination velocities (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::41021e316332f73966aa0448b08daa4f
https://doi.org/10.1016/0927-0248(94)90038-8
https://doi.org/10.1016/0927-0248(94)90038-8
Autor:
R.A. Steeman, P.F.A. Alkemade, P. Lölgen, L.A. Verhoef, J.A. Eikelboom, W.C. Sinke, E. Algra, C. Leguijt
Publikováno v:
Conference Record of the Twenty Third IEEE Photovoltaic Specialists Conference - 1993 (Cat. No.93CH3283-9).
In this paper, the authors show that a Si solar cell Al back-surface field (BSF) doping profile is formed by a fast alloying and regrowth process in accordance with the Al-Si phase diagram, and not by solid-state Al diffusion. Al was screenprinted on
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::02e3b18c7c5c08d97e33387f223ca10b
https://doi.org/10.1109/pvsc.1993.347046
https://doi.org/10.1109/pvsc.1993.347046
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.