Zobrazeno 1 - 10
of 10
pro vyhledávání: '"P. J. Beckage"'
Publikováno v:
Journal of Materials Science. 33:4375-4379
The crystallization of thin amorphous TaOx films formed by d.c. reactive sputtering was investigated at temperatures from 500–700 °C. The films remained amorphous for times up to 100 h at 500 °C. The formation of discrete, single crystallites of
Publikováno v:
Earth's Future; Apr2024, Vol. 12 Issue 4, p1-22, 22p
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science & Technology; 2020, Vol. 9 Issue 2, p1-10, 10p, 2 Charts, 12 Graphs
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science & Technology; 2019, Vol. 8 Issue 11, pP704-P714, 11p
Autor:
Zhabrev, V. A.1,2, Bystrov, Yu. A.1,2, Efimenko, L. P.1,2 efimenko@isc1.nw.ru, Komlev, A. E.1,2, Baryshnikov, V. G.1,2, Kolomi&icaron;tsev, A. A.1,2, Shapovalov, V. I.1,2
Publikováno v:
Technical Physics Letters. May2004, Vol. 30 Issue 5, p396-398. 3p.
Autor:
Rao, Prahalad K., Bhushan, M. Brij, Bukkapatnam, Satish T. S., Kong, Zhenyu, Byalal, Sanjay, Beyca, Omer F., Fields, Adam, Komanduri, Ranga
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing; Feb2014, Vol. 27 Issue 1, p1-15, 15p
Autor:
Hong Hocheng, Yun-Liang Huang
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing; Aug2007, Vol. 20 Issue 3, p306-312, 7p, 2 Black and White Photographs, 5 Diagrams, 3 Charts, 3 Graphs
Autor:
Hong Hocheng, Yun-Liang Huang
Publikováno v:
IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing; May2004, Vol. 17 Issue 2, p180-187, 8p