Zobrazeno 1 - 10
of 38
pro vyhledávání: '"P. Gondcharton"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
ECS Journal of Solid State Science and Technology
ECS Journal of Solid State Science and Technology, IOP Science, 2015, 4 (3), pp.P77-P82. ⟨10.1149/2.0081503jss⟩
ECS Journal of Solid State Science and Technology, IOP Science, 2015, 4 (3), pp.P77-P82. ⟨10.1149/2.0081503jss⟩
For its good resistivity and reliability, copper remains the most widely used material for metal interconnections since the early 1990s [1]. Concerning the 3D-integration technological transition for next generation integrated circuits, copper still
Publikováno v:
Journal of Electronic Materials
Journal of Electronic Materials, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2015, 44 (11), pp.4128-4133. ⟨10.1007/s11664-015-3992-1⟩
Journal of Electronic Materials, 2015, 44 (11), pp.4128-4133. ⟨10.1007/s11664-015-3992-1⟩
Journal of Electronic Materials, Institute of Electrical and Electronics Engineers, 2015, 44 (11), pp.4128-4133. ⟨10.1007/s11664-015-3992-1⟩
Journal of Electronic Materials, 2015, 44 (11), pp.4128-4133. ⟨10.1007/s11664-015-3992-1⟩
International audience; Copper-copper direct bonding is a fundamental procedure in three-dimensional integration. It has been reported that voiding occurs in bonded copper layers if process temperatures exceed 300A degrees C; this leads to serious re
Publikováno v:
Microsystem Technologies
Microsystem Technologies, Springer Verlag, 2015, 21 (5), pp.995-1001. ⟨10.1007/s00542-015-2436-4⟩
Microsystem Technologies, Springer Verlag, 2015, 21 (5), pp.995-1001. ⟨10.1007/s00542-015-2436-4⟩
International audience; Wafer level metal bonding involving copper layers is a key technology for three-dimensional integration. An appropriate surface activation can be performed in order to obtain room temperature direct bonding with bonding streng
Publikováno v:
Extended Abstracts of the 2015 International Conference on Solid State Devices and Materials.
Publikováno v:
2015 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2015 IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (IITC/MAM).
Promoted by the component miniaturization trend, three-dimensional integration appears as a promising option for implementation of the next generation of integrated circuits. In this context, copper is still an interesting material to be integrated t
Publikováno v:
2015 IEEE International Interconnect Technology Conference and 2015 IEEE Materials for Advanced Metallization Conference (IITC/MAM).
In recent years, a great interest has emerged in the development of new wafer-scale assembly processes. Beside the mechanical strength required, some applications need a vertical conductivity leading to implement metal thin films as bonding layers. F
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.