Zobrazeno 1 - 10
of 85
pro vyhledávání: '"P. Gansauer"'
Autor:
Marije Eileen Poort, Ulrika Persson-Fischier, Helene Martinsson-Wallin, Fiona Gansauer, Cristina Demuro, Amy Van der Zee, Evelina Elf Donaldson, Shuangqi Liu
Publikováno v:
Studia Periegetica, Vol 36, Iss 4, Pp 49-70 (2021)
This article is based on a qualitative study regarding two World Heritage Island destinations, Gotland in the Baltic Sea and Rapa Nui in the Pacific Ocean. The two islands are used as cases illustrating different views on the development of cruise to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/184a72dadfef45609d84079a0c78c5c8
Autor:
Gansauer, Grete, Haggerty, Julia
Publikováno v:
Territory, Politics, Governance; July 2024, Vol. 12 Issue: 6 p746-764, 19p
Autor:
Felder, Tisha M, Heiney, Sue P, Hebert, James R, Friedman, Daniela B, Elk, Ronit, Franco, Regina, Gansauer, Lucy, Christensen, Barbara, Ford, Marvella E
Publikováno v:
JMIR Research Protocols, Vol 9, Iss 9, p e17742 (2020)
BackgroundCurrent clinical guidelines recommend that hormone receptor–positive breast cancer survivors take adjuvant hormonal therapy (AHT) for 5 to 10 years, following the end of definitive treatment. However, fewer than half of patients adhere to
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/258e423675b846f4ad08773f5d3b2212
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
H. Wachsmuth, Olaf Wittler, Anke Hanisch, M. J. Wolf, Iuliana Panchenko, M. Voigtlander, P. Gansauer, Thomas Werner, S. Kuttler, Catharina Rudolph
Publikováno v:
2021 IEEE 71st Electronic Components and Technology Conference (ECTC).
The hybrid bonding is well established at wafer level and a very promising technology for fine pitch stacking with through-silicon-via interconnect without solder capped micro bumps. The elimination of solder enables smaller bonding pitches and small
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::317dbf871b522f5a5629ae373bd7afc1
https://doi.org/10.1109/ectc32696.2021.00018
https://doi.org/10.1109/ectc32696.2021.00018
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.