Zobrazeno 1 - 10
of 105
pro vyhledávání: '"P. Flatresse"'
Publikováno v:
Integration, Volume 72, 2020, Pages 194-207
The performance and reliability of Ultra-Low-Power (ULP) computing platforms are adversely affected by environmental temperature and process variations. Mitigating the effect of these phenomena becomes crucial when these devices operate near-threshol
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.13667
Autor:
Giard, Pascal, Balatsoukas-Stimming, Alexios, Müller, Thomas Christoph, Bonetti, Andrea, Thibeault, Claude, Gross, Warren J., Flatresse, Philippe, Burg, Andreas
Polar codes are a recently proposed class of block codes that provably achieve the capacity of various communication channels. They received a lot of attention as they can do so with low-complexity encoding and decoding algorithms, and they have an e
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1708.09603
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
O. Bersillon, A. Guyot, P. Flatresse, Gilles Gasiot, J. Baggio, J. du Port de Pontcharra, Veronique Ferlet-Cavrois, P. Morel, P. Roche
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 49:3032-3037
This work investigates the effects of 14-MeV neutron irradiation on bulk and silicon-on-insulator (SOI) technologies. Experimental results are reported with a study on the influence of the irradiation angle. These experiments are interpreted with a n
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::19ecfce3b708199f535e176956d9ca17
https://doi.org/10.1109/tns.2002.805395
https://doi.org/10.1109/tns.2002.805395
Autor:
P. Roche, P. Flatresse, Veronique Ferlet-Cavrois, J. du Port de Poncharra, O. Musseau, Gilles Gasiot, C. D'Hose
Publikováno v:
IEEE Transactions on Nuclear Science. 49:1450-1455
The sensitivity to heavy ions of nonhardened 0.25-/spl mu/m partially depleted (PD) silicon on insulator (SOI) and bulk technologies is studied with experiments, device, and circuit simulations. Comparable threshold linear energy transfer (LET) are f
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::43bb96dff84a1b1b63bc4376075aa67b
https://doi.org/10.1109/tns.2002.1039682
https://doi.org/10.1109/tns.2002.1039682
Publikováno v:
2013 IEEE SOI-3D-Subthreshold Microelectronics Technology Unified Conference (S3S).
Ultra-Thin Body and Box (UTBB) Fully Depleted Silicon-On-Insulator (FD-SOI) Technology has become mainstream in the industry with the objective to serve a wide spectrum of mobile multimedia products [1]. Transistors (fig 1) are fabricated in a 7nm th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d8d34b8f36ba97379ac050b6b3117e45
https://doi.org/10.1109/s3s.2013.6716542
https://doi.org/10.1109/s3s.2013.6716542
Autor:
Sylvain Engels, Franck Giner, J. Le Coz, D. Arora, P. Flatresse, Nicolas Planes, Bertrand Pelloux-Prayer, Bastien Giraud, Olivier P. Thomas, Jean-Philippe Noel, Pascal Urard, Giorgio Cesana, Robin Wilson, Franck Arnaud
Publikováno v:
ISSCC
This paper presents an IEEE 802.11n Low-Density Parity-Check (LDPC) decoder implemented in 28nm Ultra-Thin Body and BOX Fully Depleted SOI (UTBB FDSOI), and demonstrates the performance gains of this circuit vs. 28nm LP high-κ metal-gate CMOS bulk t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::93dd53014c869f82ebe1fc6a071d1575
https://doi.org/10.1109/isscc.2013.6487798
https://doi.org/10.1109/isscc.2013.6487798