Zobrazeno 1 - 10
of 236
pro vyhledávání: '"P. D. Maryanchuk"'
Autor:
Mykhailo M. Solovan, Andrii I. Mostovyi, Hryhorii P. Parkhomenko, Viktor V. Brus, Pavlo D. Maryanchuk
Publikováno v:
East European Journal of Physics, Iss 1, Pp 34-42 (2021)
У роботі представлено результати досліджень оптичних і електричних властивостей напівпровідникових гетеропереходів МоOx/n-Cd1-хZnхTe виго
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/80cbfd0e2907480eb446f022db3dd146
Publikováno v:
East European Journal of Physics, Iss 4, Pp 154-159 (2020)
У роботі представлено результати досліджень структурних, оптичних і електричних властивостей тонких плівок графіту виготовлених двом
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3d0831f13f9c4ab4b1baf4fb9a8470e2
Autor:
H. P. Parkhomenko, P. D. Maryanchuk
Publikováno v:
Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature, Iss 4-5, Pp 29-33 (2016)
In this study, we investigate the electrical and photoelectric properties of heterostructures formed by the reactive magnetron sputtering of thin film NiO onto p-CdTe and n-CdTe substrates. The current-voltage characteristics of the heterojunctions w
Autor:
P. D. Maryanchuk, G. O. Andrushchak
Publikováno v:
Journal of Nano- and Electronic Physics. 12:06032-1
В роботі проведено дослідження оптичних властивостей кристалів Hg1 – xMnxS, Hg1 – x – уMnxFеуS, Hg1 – x – уMnxFеуSe1 – zSz. Напівмагнітні напівпровідн
Autor:
E. V. Maistruk, I G Orletskyi, P. D. Maryanchuk, M. M. Solovan, S. V. Nichyi, M. I. Ilashchuk
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics. 64:164
Conditions for the production of rectifying semiconductor-insulator-semiconductor (SIS) heterostructures n-SnS2/CdTeO3/p-Cd1−xZnxTe with the use of the spray-pyrolysis of SnS2 thin films on p-Cd1−xZnxTe crystalline substrates with the formation o
Autor:
P. D. Maryanchuk, G. O. Andrushchak
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies. 7:61-63
Publikováno v:
Semiconductors. Aug2016, Vol. 50 Issue 8, p1020-1024. 5p.
Autor:
D. P. Kozyarskyy, P. D. Maryanchuk
Publikováno v:
Sensor Electronics and Microsystem Technologies. 4:59-65
Magnetic susceptibility of (χ) crystals (3HgSe)1-x(Al2 Se3 )x (o=0,1) (doped by manganese) is investigated at the interval of temperatures O=77 — 300 K at I=4 kOe by the method of Faraday before and after the heat treatment of samples in vapour of
Publikováno v:
Semiconductors. Dec2014, Vol. 48 Issue 12, p1680-1684. 5p.
Autor:
Koziarskyi, I. P.1 i.koziarskyi@chnu.edu.ua, Maslyuk, V. T.2 volodymyr.maslyuk@gmail.com, Maryanchuk, P. D.1 p.maryanchuk@chnu.edu.ua, Maistruk, E. V.1 emaistruk@list.ru, Koziarskyi, D. P.1 demienpc@mail.ru, Megela, I. G.2 nuclear@email.uz.ua, Lashkarev, G. V.3 geolash@ipms.kiev.ua
Publikováno v:
Russian Physics Journal. Nov2018, Vol. 61 Issue 7, p1189-1193. 5p.