Zobrazeno 1 - 10
of 104
pro vyhledávání: '"P. Bousoulas"'
Publikováno v:
APL Machine Learning, Vol 1, Iss 2, Pp 026103-026103-7 (2023)
Reservoir computing (RC)-based neuromorphic applications exhibit extremely low power consumption, thus challenging the use of deep neural networks in terms of both consumption requirements and integration density. Under this perspective, this work fo
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8f14b2d91f474860bf52f2c51b96d4a4
Autor:
Kleitsiotis, G., Bousoulas, P., Mantas, S. D., Tsioustas, C., Fyrigos, I. A., Sirakoulis, G., Tsoukalas, D.
In this work, an optimized method was implemented for attaining stable multibit operation with low energy consumption in a two-terminal memory element made from the following layers: Ag/Pt nanoparticles (NPs)/SiO2/TiN in a 1-Transistor-1-Memristor co
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2406.13505
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Panagiotis Bousoulas, Charalampos Papakonstantinopoulos, Stavros Kitsios, Konstantinos Moustakas, Georgios Ch. Sirakoulis, Dimitris Tsoukalas
Publikováno v:
Micromachines, Vol 12, Iss 3, p 306 (2021)
The quick growth of information technology has necessitated the need for developing novel electronic devices capable of performing novel neuromorphic computations with low power consumption and a high degree of accuracy. In order to achieve this goal
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b56849355d7c4073913dbd699423ffa4
Publikováno v:
IEEE Transactions on Electron Devices. 69:2368-2376
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::4e4d47387a57504613808c6adc98b883
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3160140
https://doi.org/10.1109/ted.2022.3160140
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.