Zobrazeno 1 - 10
of 137
pro vyhledávání: '"P. Boulenc"'
Autor:
Mahato, Swaraj Bandhu, Boulenc, Pierre
Publikováno v:
Proc. SPIE 11454, X-Ray, Optical, and Infrared Detectors for Astronomy IX, 1145430 (13 December 2020)
In recent years, CCD-in-CMOS TDI image sensors are becoming increasingly popular for many small satellite missions to assure a fast and affordable access to space for Low Earth Observation. Our monolithic CCD-in-CMOS TDI imager features a specificall
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2110.00299
Autor:
Mahato, Swaraj Bandhu, Thijs, Steven, Bentell, Jonas, Wu, Linkun, Tack, Klaas, Boulenc, Pierre, Lasnet, Dorian, Van Langendonck, Renaud, De Moor, Piet
Many future small satellite missions are aimed to provide low-cost remote sensing data at unprecedented revisit rates, with a ground resolution of less than one meter. This requires high resolution, fast and sensitive line-scan imagers operating at l
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2109.14532
Autor:
Van Sieleghem, Edward, Süss, Andreas, Boulenc, Pierre, Lee, Jiwon, Karve, Gauri, De Munck, Koen, Cavaco, Celso, Van Hoof, Chris
A near-infrared (NIR) enhanced silicon single-photon avalanche diode (SPAD) fabricated in a customized 0.13 $\mu$m CMOS technology is presented. The SPAD has a depleted absorption volume of approximately 15 $\mu$m x 15 $\mu$m x 18 $\mu$m. Electrons g
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2105.05529
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Devos, Isabelle, Boulenc, Pierre
We report a study on the interface between polar high-k materials and the Si(001)-(2X1) reconstructed surface with LaAlO3 taken as a prototype material. The construction of the interface is based on the prior growth of metal lines followed by oxidati
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0607609
We have studied the current-induced displacement of a domain wall (DW) in the permalloy (Py) layer of a Co/Cu/Py spin valve structure at zero and very small applied field. The displacement is in opposite direction for opposite dc currents, and the cu
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0304312
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Bernardette Kunert, B. Hsu, P. Boulenc, C. Van Hoof, O. Syshchyk, R. Alcotte, Philippe Soussan, Nadine Collaert, Eddy Simoen, Hao Yu, Niamh Waldron, R. Puybaret, Yves Mols, Bob Puers, G. Karve, V. Motsnyi, A. Vais
Publikováno v:
Physical Review Applied. 14
Monolithically integrated $\mathrm{Ga}\mathrm{As}$ $p$-$i$-$n$ diodes are demonstrated on 300-mm $\mathrm{Si}$ $(001)$ substrates using a nanoridge-engineering approach. Deep-level transient spectroscopy (DLTS) is used to perform defect analysis for
Autor:
G. Karve, Yun Tzu Chang, Olga Syshchyk, Epimetheas Georgitzikis, Yunlong Li, Pawel E. Malinowski, David Cheyns, Jiwon Lee, Orges Furxhi, Edward Van Sieleghem, P. Boulenc
Publikováno v:
Infrared Technology and Applications XLVI.
CMOS image sensors for visible wavelength range have been receiving much attention over the last two decades, offering ultra-low power and camera-on-chip integration. Imagers are now able to extract additional information from the scene thanks to inf