Zobrazeno 1 - 10
of 134
pro vyhledávání: '"P. Acosta Alba"'
Autor:
N. Zerhouni Abdou, P. Acosta Alba, L. Brunet, F. Milesi, M. Opprecht, M. Gallard, S. Reboh, I. Ionica
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 384-389 (2024)
The EZ-FET is a device with simplified architecture and processing that enables fast electrical characterization of semiconductor films on insulators (SOI) with only two lithography levels and using regular process steps. For low temperature SOI subs
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8cbe6435aace43639f140b3c99280018
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 12, Iss 1, Pp 1-11 (2022)
Abstract In this work, we present an on-chip 2D and 3D photonics integration solution compatible with Front End of Line integration (FEOL) using deposited polycrystalline silicon (poly:Si) for optical interconnects applications. Deposited silicon int
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/84f9b2dbf5cb461da34f0dde10d6a6e2
Autor:
Calogero, Gaetano, Raciti, Domenica, Ricciarelli, Damiano, Acosta-Alba, Pablo, Cristiano, Fuccio, Daubriac, Richard, Demoulin, Remi, Deretzis, Ioannis, Fisicaro, Giuseppe, Hartmann, Jean-Michel, Kerdilès, Sébastien, La Magna, Antonino
Controlling ultrafast material transformations with atomic precision is essential for future nanotechnology. Pulsed laser annealing (LA), inducing extremely rapid and localized phase transitions, is a powerful way to achieve this, but it requires car
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2309.02909
Autor:
Ricciarelli, Damiano, Mannino, Giovanni, Deretzis, Ioannis, Calogero, Gaetano, Fisicaro, Giuseppe, Daubriac, Richard, Demoulin, Remi, Cristiano, Fuccio, Michalowski, Pawel P., Acosta-Alba, Pablo, Hartmann, Jean-Michel, Kerdilès, Sébastien, La Magna, Antonino
Publikováno v:
Mat. Sci. Semicond. Proc. 165 (2023) 10765
Ultraviolet nanosecond laser annealing (LA) is a powerful tool where strongly confined heating and melting are desirable. In semiconductor technologies the importance of LA increases with the increasing complexity of the proposed integration schemes.
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2303.15977
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Gaetano Calogero, Domenica Raciti, Pablo Acosta-Alba, Fuccio Cristiano, Ioannis Deretzis, Giuseppe Fisicaro, Karim Huet, Sébastien Kerdilès, Alberto Sciuto, Antonino La Magna
Publikováno v:
npj Computational Materials, Vol 8, Iss 1, Pp 1-10 (2022)
Abstract Ultraviolet Nanosecond Laser Annealing (LA) is a powerful tool for both fundamental investigations of ultrafast, nonequilibrium phase-change phenomena and technological applications (e.g., the processing of 3D sequentially integrated nano-el
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/dee969859068481ca8d9ea1c2cd03cb1
Autor:
Toshiyuki Tabata, Fabien Roze, Pablo Acosta Alba, Sebastien Halty, Pierre-Edouard Raynal, Imen Karmous, Sebastien Kerdiles, Fulvio Mazzamuto
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 10, Pp 712-719 (2022)
UV laser annealing (UV-LA) enables surface-localized high-temperature thermal processing to form abrupt junctions in emerging monolithically stacked devices, where the applicable thermal budget is restricted. In this work, UV-LA is performed to regro
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/15ed53d744e64e2db4b3d7275026dcce
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Richard Daubriac, Emmanuel Scheid, Hiba Rizk, Richard Monflier, Sylvain Joblot, Rémi Beneyton, Pablo Acosta Alba, Sébastien Kerdilès, Filadelfo Cristiano
Publikováno v:
Beilstein Journal of Nanotechnology, Vol 9, Iss 1, Pp 1926-1939 (2018)
In this paper, we present an enhanced differential Hall effect measurement method (DHE) for ultrathin Si and SiGe layers for the investigation of dopant activation in the surface region with sub-nanometre resolution. In the case of SiGe, which consti
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/beb5310ee07740d2b625e34f42a24125