Zobrazeno 1 - 10
of 1 444
pro vyhledávání: '"P type doping"'
Publikováno v:
Journal of Materials Research and Technology, Vol 30, Iss , Pp 5512-5522 (2024)
The p-type doping process during the growth of AlGaN nanowires directly influences the optoelectronic properties of the related devices. However, research on the p-type ionization mechanism in AlxGa1-xN nanowires remains limited. In this work, we uti
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/8eb01cb7fa1240779aaad4762ee87bbe
Autor:
Adán de Jesús Bautista-Morantes, Carlos Ordulio Calderón-Carvajal, Jairo Alberto Gómez-Cuaspud, Enrique Vera-López
Publikováno v:
Materials Science for Energy Technologies, Vol 7, Iss , Pp 335-348 (2024)
In this study, the influence of p-type doping with Na atoms on the optical bandgap and electrical conductivity of a series of bismuth ferrites (BiFeO3) synthesized by a low-cost solid-state method was evaluated. To identify the properties that influe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4295df3c5d1a41b6934503f47ee99415
Publikováno v:
Small Structures, Vol 5, Iss 5, Pp n/a-n/a (2024)
Forming heterostructures of 2D metals and semiconductors using chemical vapor deposition (CVD) has significant potential to effectively reduce contact resistance in electronic devices. However, semiconducting transition metal dichalcogenide (TMD) lay
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/4a62d5db996b4c5bae5887b54d71dd12
Autor:
L. O. Agbolade, A. K. Y. Dafhalla, D. M. I. Zayan, T. Adam, A. Chik, A. A. Adewale, S. C. B. Gopinath, U. Hashim
Publikováno v:
Journal of Nigerian Society of Physical Sciences, Vol 6, Iss 1 (2024)
The electronic and optical properties of Boron (B) and Beryllium (Be)-doped graphene were determined using the ab initio approach based on the generalized gradient approximations within the Full potential linearized Augmented Plane wave formalism (FP
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/b8b3ad27c0fa42448d8ee2ecf80862c8
Autor:
Zhixuan Cheng, Xionghui Jia, Xing Cheng, Yiwen Song, Yuqia Ran, Minglai Li, Wanjin Xu, Yanping Li, Yu Ye, Lun Dai
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 9, Iss 10, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract 2D MoTe2 is regarded as a favorable candidate for semiconductor nanoelectronics integration. Chemical‐vapor‐deposition‐grown MoTe2 usually presents p‐type characteristics. In order to realize basic electronic units like complementary
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1bd31126e61840bdba2284b4788e09c7
Autor:
Kevin Ndang Amassa, Anne Justine Etindele, Dick Hartmann Douma, Stephane Kenmoe, Chetty Nithaya
Publikováno v:
Journal of Physics Communications, Vol 8, Iss 2, p 025009 (2024)
Based on density functional theory, we studied the effect of p- and n-type doping on the structural and electronic properties of MoO _2 monolayers and bilayers. We used niobium (Nb) and nitrogen (N) as p-type dopants, and technetium (Tc) and fluorine
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/3076dbb70dd44b70bdc5fc12156ddcad
Autor:
Yiting Li, Yang Shen, Qianglong Fang, Shuqin Zhang, Xiaodong Yang, Liang Chen, Shangzhong Jin
Publikováno v:
Journal of Materials Research and Technology, Vol 19, Iss , Pp 2402-2409 (2022)
Based on the first principles calculation method, we explored the impacts of p-type doping on the electronic characteristics of Al0.5Ga0.5N nanowire. Firstly, Al0.5Ga0.5N nanowires are simulated with different doping elements (Be, Mg and Zn), as well
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a283f1f26d9d447cac94742f24eb582a
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.