Zobrazeno 1 - 10
of 767
pro vyhledávání: '"P Wolkow"'
Autor:
Walter, Marcel, Croshaw, Jeremiah, Ng, Samuel Sze Hang, Walus, Konrad, Wolkow, Robert, Wille, Robert
Although fabrication capabilities of Silicon Dangling Bonds have rapidly advanced from manual labor-driven laboratory work to automated manufacturing in just recent years, sub-nanometer substrate defects still pose a hindrance to production due to th
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2311.12042
Autor:
Ng, Samuel S. H., Croshaw, Jeremiah, Walter, Marcel, Wille, Robert, Wolkow, Robert, Walus, Konrad
Recent research interest in emerging logic systems based on quantum dots has been sparked by the experimental demonstration of nanometer-scale logic devices composed of atomically sized quantum dots made of silicon dangling bonds (SiDBs), along with
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2211.08698
Autor:
Croshaw, Jeremiah, Huff, Taleana, Rashidi, Mohamad, Wood, John, Lloyd, Erika, Pitters, Jason, Wolkow, Robert
Using a non-contact atomic force microscope (nc-AFM), we examine continuous DB wire structures on the hydrogen-terminated silicon (100) 2x1 surface. By probing the DB structures at varying energies, we identify the formation of previously unobserved
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2011.08056
Publikováno v:
Beilstein J. Nanotechnol. 2020, 11, 1346-1360
The hydrogen-terminated Silicon(100)-2x1 surface (H-Si(100)-2x1) provides a promising platform for the development of atom scale devices, with recent work showing their creation through precise desorption of surface hydrogen atoms. While samples with
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2002.09138
Many new material systems are being explored to enable smaller, more capable and energy efficient devices. These bottom up approaches for atomic and molecular electronics, quantum computation, and data storage all rely on a well-developed understandi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.03218
Autor:
Huff, Taleana, Dienel, Thomas, Rashidi, Mohammad, Achal, Roshan, Livadaru, Lucian, Croshaw, Jeremiah, Wolkow, Robert A.
Publikováno v:
ACS Nano 13(9), 10566-10575 (2019)
With nanoelectronics reaching the limit of atom-sized devices, it has become critical to examine how irregularities in the local environment can affect device functionality. Here, we characterize the influence of charged atomic species on the electro
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1902.11296
Autor:
Rashidi, Mohammad, Croshaw, Jeremiah, Mastel, Kieran, Tamura, Marcus, Hosseinzadeh, Hedieh, Wolkow, Robert A.
Publikováno v:
Mach. Learn.: Sci. Technol. 1 025001 (2020)
As the development of atom scale devices transitions from novel, proof-of-concept demonstrations to state-of-the-art commercial applications, automated assembly of such devices must be implemented. Here we present an automation method for the identif
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1902.08818
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.