Zobrazeno 1 - 10
of 317
pro vyhledávání: '"P, Pristovsek"'
Autor:
Pampili, Pietro, Pristovsek, Markus
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 135, 195303 (2024)
We report about metalorganic vapour phase epitaxy of smooth nitrogen-polar AlN templates on vicinal (0001) sapphire substrates. The influence of V/III ratio, growth temperature, growth rate, as well as sapphire-nitridation time and temperature were s
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2402.03180
Publikováno v:
Crystals, Vol 14, Iss 9, p 822 (2024)
We report on 2-dimensional electron gases realized in binary N-polar GaN channels on AlN on sapphire templates grown by metal–organic vapor phase epitaxy. The measured sheet carrier density of 3.8×1013 cm−2 is very close to the theoretical value
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a2682d4b21554794ac76cc31db257d7b
Autor:
Robin, Yoann, Bournet, Quentin, Avit, Geoffrey, Pristovsek, Markus, André, Yamina, Trassoudaine, Agnès, Amano, Hiroshi
We show evidence that tunnel junctions (TJs) in GaN grown by metal-organic vapor phase epitaxy are dominated by trap-assisted (Poole-Frenkel) tunneling. This stems from observations of the careful optimized doping for the TJs. Especially the p$^{++}$
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2001.03510
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Crystals, Vol 13, Iss 7, p 1072 (2023)
We have systematically studied the growth of N-polar GaN on sapphire in metal–organic vapor phase epitaxy (MOVPE) on different misoriented (0001) sapphire substrates. The key parameter was the NH3 flow, which affects the roughness, growth rate, cry
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/87571bc17bb34f449abb6c76bc0fa48e
Publikováno v:
Scientific Reports, Vol 11, Iss 1, Pp 1-10 (2021)
Abstract GaN nanorods (NRds) with axial InGaN/GaN MQWs insertions are synthesized by an original cost-effective and large-scale nanoimprint-lithography process from an InGaN/GaN MQWs layer grown on c-sapphire substrates. By design, such NRds exhibit
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/253098597fe742d18e9f6715bdbd8a1c