Zobrazeno 1 - 10 of 271 pro vyhledávání: '"Oxygen precipitates"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
5
Revisiting the effects of carbon-doping at 1017 cm−3 level on dislocation behavior of Czochralski silicon: from room temperature to elevated temperatures
Autor: Xiangyang Ma, Jian Zhao, Xuegong Yu, Zhenyi Ni, Deren Yang, Jianjiang Zhao, Tong Zhao, Yuxin Sun, Wu Lan
Publikováno v: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 30:3114-3123
Carbon is an inevitable impurity subsidiary to oxygen in Czochralski silicon (CZ-Si). Its effects on the properties of CZ-Si have been investigated for decades. However, the research work addressing the dislocation behavior and therefore the mechanic
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::288bf8e79fefa8dd41d4aad9cbb1524a
https://doi.org/10.1007/s10854-018-00591-4
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje