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pro vyhledávání: '"Oxyde bicouche"'
Autor:
Foissac, Romain
L'intégration de diélectriques High-k dans les empilements de grille des dispositifs MOS a fait naître de nouvelles interrogations concernant la fiabilité des futurs nœuds technologiques. La miniaturisation constante des dispositifs conduisant
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2015GREAT047/document
Autor:
Foissac, Romain
Publikováno v:
Micro et nanotechnologies/Microélectronique. Université Grenoble Alpes, 2015. Français. ⟨NNT : 2015GREAT047⟩
Integration of High-k dielectrics in gate oxides of MOS raised new issues concerning the reliability of futur technology nodes. The constant miniaturisation of devices leads to thinner gate oxides, making their electrical caracterisation more complex
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::527287d5107b98a0005232da7f9e7433
https://theses.hal.science/tel-01218188
https://theses.hal.science/tel-01218188
Autor:
Delcroix, Pierre
Afin de pouvoir continuer la miniaturisation de la brique de base des circuits électroniques, le transistor MOS, l’introduction d’oxyde de grille à haute permittivité était inévitable. Un empilement de type high-k/grille métal en remplaceme
Externí odkaz:
http://www.theses.fr/2012GRENT080/document
Autor:
Delcroix, Pierre
Publikováno v:
Autre. Université de Grenoble, 2012. Français. ⟨NNT : 2012GRENT080⟩
In order to continue the scaling of the MOS transistor the replacement of the gate oxide layer by a high K/Metal gate was mandatory. From a reliability point of view, the introduction of these new materials could cause a lifetime reduction. To test t
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https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=dedup_wf_001::b335ec5ba85af1aa348929702e1e7140
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00822926/file/25471_DELCROIX_2012_archivage.pdf
https://tel.archives-ouvertes.fr/tel-00822926/file/25471_DELCROIX_2012_archivage.pdf