Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Otto Csabay"'
Publikováno v:
Advances in Electrical and Electronic Engineering, Vol 3, Iss 2, Pp 269-272 (2004)
The formation and annealing of radiation-induced defects in MOS structures exposed to 710 MeV Bi ions and 305 MeV Kr ions radiation with a fluency of 10^9 and 10^10cm^2 have been studied by capacitance methods. Electrical activity of the defects has
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/bfb96ccf49ac472c91c7709cfb9ec855
Publikováno v:
Czechoslovak Journal of Physics. 43:723-731
A new computer controlled equipment for carrier concentration profile determination of silicon structures by a spreading resistance technique is presented. The required data and plots can easily be obtained by means of a new software package, which h
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.