Zobrazeno 1 - 10
of 25
pro vyhledávání: '"Oszinda, Thomas"'
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2011 88(5):680-683
Publikováno v:
In Microelectronic Engineering 2010 87(3):457-461
Autor:
Kondepati, Venkata Radhakrishna, Heise, H. Michael, Oszinda, Thomas, Mueller, Ralf, Keese, Michael, Backhaus, Juergen
Publikováno v:
In Vibrational Spectroscopy 2008 46(2):150-157
Autor:
Kondepati, Venkata Radhakrishna1,2, Oszinda, Thomas2, Heise, H. Michael2, Luig, Klaus3, Mueller, Ralf1, Schroeder, Olaf3, Keese, Michael4, Backhaus, Juergen1 j.backhaus@hs-mannheim.de
Publikováno v:
Analytical & Bioanalytical Chemistry. Mar2007, Vol. 387 Issue 5, p1633-1641. 9p. 1 Diagram, 3 Charts, 4 Graphs.
Autor:
Stefan E. Schulz, Daniel Fischer, Matthias Schaller, Christin Bartsch, Susanne Leppack, Oszinda Thomas, Lukas Gerlich
Publikováno v:
2011 IEEE International Interconnect Technology Conference.
In this paper the effect of a vapor phase based silylation process on patterned test structures using ULK based ILD's was investigated. It was found that the resistance to capacitance (RC) behavior can be improved. This improvement was found to be sc
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::8ce03a16e76eb9f03c2f5230188b7b94
https://doi.org/10.1109/iitc.2011.5940329
https://doi.org/10.1109/iitc.2011.5940329
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Oszinda, Thomas, Beyer, Volkhard, Schaller, Matthias, Fischer, Daniel, Bartsch, Christin, Schulz, Stefan E.
Publikováno v:
Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; Jan2009, Vol. 27 Issue 1, p521-526, 6p, 3 Charts, 10 Graphs
Publikováno v:
Diffusion and Defect Data Part B: Solid State Phenomena; April 2012, Vol. 187 Issue: 1 p249-252, 4p