Zobrazeno 1 - 10
of 87
pro vyhledávání: '"Ostinelli, Olivier"'
Autor:
Wen, Xin, Arabhavi, Akshay, Quan, Wei, Ostinelli, Olivier, Mukherjee, Chhandak, Deng, Marina, Frégonèse, Sébastien, Zimmer, Thomas, Maneux, Cristell, Bolognesi, Colombo R., Luisier, Mathieu
Publikováno v:
Journal of Applied Physics 130, 034502, 2021
The intrinsic performance of "type-II" InP/GaAsSb double heterojunction bipolar transistors (DHBTs) towards and beyond THz is predicted and analyzed based on a multi-scale technology computer aided design (TCAD) modeling platform calibrated against e
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2107.08554
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Han, Daxin, Bonomo, Giorgio, Calvo Ruiz, Diego, Arabhavi, Akshay Mahadev, Ostinelli, Olivier J.S., Bolognesi, Colombo R.
Digital electronics power consumption evolved into a major concern: at the current pace, general-purpose computing energy consumption will exceed global energy production before 2045. The principal approach to curbing energy consumption in digital ap
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::967d0fe10dfcdb5b02484631ef5347ba
Autor:
Guendouz, Djeber, Mukherjee, Chhandak, Deng, Marina, De Matos, Magali, Caillaud, Christophe, Bertin, Hervé, Bobin, Antoine, Vaissière, Nicolas, Mekhazni, Karim, Mallecot, Franck, Arabhavi, Akshay M., Chaudhary, Rimjhim, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, Colombo, Mounaix, Patrick, Maneux, Cristell
Publikováno v:
Applied Sciences
Applied Sciences, 2021, 11 (23), pp.11088. ⟨10.3390/app112311088⟩
Applied Sciences, Vol 11, Iss 11088, p 11088 (2021)
Applied Sciences, 11 (23)
Applied Sciences, 2021, 11 (23), pp.11088. ⟨10.3390/app112311088⟩
Applied Sciences, Vol 11, Iss 11088, p 11088 (2021)
Applied Sciences, 11 (23)
Due to the continuous increase in data traffic, it is becoming imperative to develop communication systems capable of meeting the throughput requirements. Monolithic Opto-Electronic Integrated Circuits (OEICs) are ideal candidates to meet these deman
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a1aea07cdae878e56ff8f4b78c87a331
https://hal.science/hal-03657756/file/applsci-1432677.pdf
https://hal.science/hal-03657756/file/applsci-1432677.pdf
Autor:
Calvo Ruiz, Diego, Han, Daxin, Bonomo, Giorgio, Saranovac, Tamara, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, Colombo R.
Publikováno v:
Physica Status Solidi A, 218 (3)
InP–based HEMTs with an offset gate enable higher maximum oscillation frequency (fMAX) values because of the resulting reduction in gate–to–source resistance. Following this approach, we show improved DC characteristics and cutoff frequencies (
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od_______150::cb6567e3a9d82f35461d8dbde2c1264a
https://hdl.handle.net/20.500.11850/440169
https://hdl.handle.net/20.500.11850/440169
Autor:
Arabhavi, Akshay M., Ciabattini, Filippo, Hamzeloui, Sara, Flückiger, Ralf, Popovic, Tamara, Han, Daxin, Marti, Diego, Bonomo, Giorgio, Chaudhary, Rimjhim, Ostinelli, Olivier, Bolognesi, Colombo R.
Publikováno v:
2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
Transistor (DHBT) emitter fin architecture with a record fMAX = 1.2 THz, a simultaneous fT = 475 GHz and BVCEO = 5.4 V. The resulting BVCEO × fMAX = 6.48 THz-V is unparalleled in semiconductor technology. The performance arises because the process a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e1489616e5232458496a198502b91fa4
https://hdl.handle.net/20.500.11850/557696
https://hdl.handle.net/20.500.11850/557696