Zobrazeno 1 - 10
of 389
pro vyhledávání: '"Ostheimer P"'
Topic models are a popular approach for extracting semantic information from large document collections. However, recent studies suggest that the topics generated by these models often do not align well with human intentions. While metadata such as l
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2410.18140
Autor:
Nagda, Mayank, Ostheimer, Phil, Specht, Thomas, Rhein, Frank, Jirasek, Fabian, Kloft, Marius, Fellenz, Sophie
Physics-Informed Neural Networks (PINNs) have emerged as a promising method for approximating solutions to partial differential equations (PDEs) using deep learning. However, PINNs, based on multilayer perceptrons (MLP), often employ point-wise predi
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2409.20206
Evaluating Text Style Transfer (TST) is a complex task due to its multifaceted nature. The quality of the generated text is measured based on challenging factors, such as style transfer accuracy, content preservation, and overall fluency. While human
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2308.13577
Text Style Transfer (TST) evaluation is, in practice, inconsistent. Therefore, we conduct a meta-analysis on human and automated TST evaluation and experimentation that thoroughly examines existing literature in the field. The meta-analysis reveals a
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2306.00539
Autor:
Pour, Mohammad Amin Zare, Romanyuk, Oleksandr, Moritz, Dominik C., Paszuk, Agnieszka, Maheu, Clement, Shekarabi, Sahar, Hanke, Kai Daniel, Ostheimer, David, Mayer, Thomas, Hofmann, Jan P., Jaegermann, Wolfram, Hannappel, Thomas
Lattice matched n-type AlInP(100) charge selective contacts are commonly grown on n-p GaInP(100) top absorbers in high-efficiency III-V multijunction solar or photoelectrochemical cells. The cell performance can be greatly limited by the electron sel
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2207.08606
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Clément Maheu, Mohammad Amin Zare Pour, Iban Damestoy, David Ostheimer, Maximilian Mellin, Dominik C. Moritz, Agnieszka Paszuk, Wolfram Jaegermann, Thomas Mayer, Thomas Hannappel, Jan P. Hofmann
Publikováno v:
Advanced Materials Interfaces, Vol 10, Iss 3, Pp n/a-n/a (2023)
Abstract Interfaces are key elements that define electronic properties of the final device. Inevitably, most of the active interfaces of III–V semiconductor devices are buried and it is therefore not straightforward to characterize them. The Tapere
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/e90ce90e48c4478fb77b29c441ec377a
