Výsledky vyhledávání - "Osipova, E. V."

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Spintronic Properties of the Interface between Si(111) and 3C–SiC(111) Grown by the Method of Coordinated Substitution of Atoms

Autor: null Osipova E. V., null Osipov A. V., null Kukushkin S. A.

Publikováno v: Technical Physics Letters. 48:263-267

The properties of the interface between Si(111) and 3C-SiC(111) grown by the method of coordinated substitution of atoms were studied by the density functional theory in spin-polarized approximation. The most favourable atomic configuration at the in

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d9209ea37b794877ab7afb2a756a782c
https://doi.org/10.1134/s1063785022090036

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

An Analysis of the Hydrogen Embrittlement Resistance of Aluminum Alloys.

Autor: Indeitsev, D. A.¹ (AUTHOR), Osipova, E. V.¹ (AUTHOR) elena.vl.osipova@gmail.com

Publikováno v: Technical Physics Letters. Feb2021, Vol. 47 Issue 2, p170-173. 4p.

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Akademický článek

The Effect of Hydrogen on Fluctuation Embrittlement of Aluminum.

Autor: Indeitsev, D. A.¹ (AUTHOR) dmitry.indeitsev@gmail.com, Osipova, E. V.¹ (AUTHOR)

Publikováno v: Technical Physics Letters. Sep2019, Vol. 45 Issue 9, p882-885. 4p.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Formation of Surface Hydrogen Layer in Pure Aluminum.

Autor: Indeitsev, D. A.¹ (AUTHOR) dmitry.indeitsev@gmail.com, Osipova, E. V.¹ (AUTHOR)

Publikováno v: Doklady Physical Chemistry. 2019, Vol. 484 Issue 1, p4-7. 4p.

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Akademický článek

Spintronic Properties of the Interface between Si(111) and 3C–SiC(111) Grown by the Method of Coordinated Substitution of Atoms.

Autor: Kukushkin, S. A., Osipov, A. V., Osipova, E. V.

Publikováno v: Technical Physics Letters; Aug2022, Vol. 48 Issue 8, p263-267, 5p

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Study of silicon-to-silicon carbide transformation stages in the process of atomic substitution by the methods of total external X-ray reflection and X-ray diffractometry

Autor: null Stozharov V. M., null Osipova E. V., null Osipov A. V., null Kukushkin S. A.

Publikováno v: Physics of the Solid State. 64:327

X-ray diffraction and total external reflection of X-rays (X-ray reflectometry) methods were used to study the successive stages of synthesis of epitaxial SiC films on Si (100) X-ray diffraction and total external X-ray reflection (XRD) methods were

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::17163c8ad5c79dc75df0b2cbc01d451c
https://doi.org/10.21883/pss.2022.03.54010.232

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání