Zobrazeno 1 - 10 of 620 pro vyhledávání: '"Orlowski, B. A."'
1
Report
Surface and electronic structure of MOCVD-grown Ga(0.92)In(0.08)N investigated by UV and X-ray photoelectron spectroscopies
Autor: Kowalski, B. J., Kowalik, I. A., Iwanowski, R. J., Sadowski, J., Kanski, J., Orlowski, B. A., Ghijsen, J., Mirabella, F., Lusakowska, E., Perlin, P., Porowski, S., Grzegory, I., Leszczynski, M.
The surface and electronic structure of MOCVD-grown layers of Ga(0.92)In(0.08)N have been investigated by means of photoemission. An additional feature at the valence band edge, which can be ascribed to the presence of In in the layer, has been revea
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/0408090
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Extended Defect States in CdTe/ZnTe Photojunction.
Autor: ORLOWSKI, B. A.1 orbro@ifpan.edu.pl, GWOZDZ, K.2, GOSCINSKI, K.1, CHUSNUTDINOW, S.1, GALICKA, M.1, GUZIEWICZ, E.1, KOWALSKI, B. J.1
Publikováno v: Acta Physica Polonica: A. May2022, Vol. 141 Issue 5, p548-553. 6p.
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
4
Akademický článek
Quasi Fermi Levels in Semiconductor Photovoltaic Heterojunction.
Autor: ORLOWSKI, B. A.1, PIENIAZEK, A.1, GOSCINSKI, K.1, KOPALKO, K.1
Publikováno v: Acta Physica Polonica: A. Jan2016, Vol. 129 Issue 1A, pA-100-A-102. 3p.
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
7
Photoemission study of (PbEuGd)Te layers under Gd or Te atoms treatment
Autor: Orlowski, B. A., Kowalski, B. J., Pietrzyk, M., Mickievicius, S., Osinniy, V., Dziawa, P., Story, T., Drube, W., Johnson, R. L., Kleiman, G., Morais, J., Naves de Brito, A., Pireaux, J.J.
Publikováno v: Journal of electron spectroscopy and related phenomena 156-158, 318 (2007). doi:10.1016/j.elspec.2006.11.020
Electron Spectroscopy and Structure, ICESS-10, Foz do Iguacu, Brazil, 2007-08-28-2007-09-01
Substitution of Gd 3+ for Eu 2+ ions in EuTe leads to the introduction of Gd 5d electrons to the conduction band and antiferromagnetic order of EuTe (Heisenberg magnetic semiconductor) can be replaced by ferromagnetic state due to RKKY interaction. T
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::e877d4231df7e11cf81a0ba54b715f25
https://doi.org/10.1016/j.elspec.2006.11.020
Zobrazit plný text záznamu
8
Photoemission study of Ge1−x−y Mnx Euy Te at Mn 3p–3d and Eu 4d–4f resonances
Autor: Kowalski, B. J., Pietrzyk, M. A., Orlowski, B. A., Dziawa, P., Osinniy, V., Dobrowolski, W., Slynko, V. E., Slynko, E. I., Johnson, R. L., Kleiman, G., Morais, J., Naves de Brito, A., Pireaux, J.J.
Publikováno v: Journal of electron spectroscopy and related phenomena 156-168, 319-322 (2007). doi:10.1016/j.elspec.2006.11.019
Electron Spectroscopy and Structure, ICESS-10, Foz do Iguacu, Brazil, 2007-08-28-2007-09-01
The electronic structure of Ge0.4 Mn0.5 Eu0.1 Te has been investigated by means of resonant photoemission spectroscopy. The spectra were acquired for the photon energy ranges of 130–155 and 40–60 eV corresponding to the Eu 4d → 4f and Mn 3p →
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::a0fd65c90f0e725c5b480f68997964c0
https://doi.org/10.1016/j.elspec.2006.11.019
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje