Zobrazeno 1 - 4
of 4
pro vyhledávání: '"Opilat, V.Ya."'
The GaP diode radiation-induced degradation has been established to be caused mainlу bу the reduction of the current carrier lifetime resulting from introduction of non-radiative deep levels of the radiation-induced defects. A thin structure has be
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::4a44a8e8b0899d7bafff5fcaedaf1653
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138859
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/138859
Autor:
Gontaruk, O.M., Khivrych, V.I., Pinkovska, M.B., Tartachnyk, V.P., Olikh, Ya.M., Vernydub, R.M., Opilat, V.Ya.
Electroluminescence of GaP light diodes, treated by ultrasound at room and low temperatures has been studied. It has been found that short ultrasound caused improvement of red diode emission characteristics while electroluminescence degradation occur
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::8d78b2928467d4971246550ca2443738
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118000
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118000
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.