Knihovna AV ČR, v. v. i.
  • Odhlásit
  • Přihlášení
  • Jazyk
    • English
    • Čeština
  • Instituce
    • Knihovna AV ČR
    • Souborný katalog AV ČR
    • Archeologický ústav Brno
    • Archeologický ústav Praha
    • Astronomický ústav
    • Biofyzikální ústav
    • Botanický ústav
    • Etnologický ústav
    • Filosofický ústav
    • Fyzikální ústav
    • Fyziologický ústav
    • Geofyzikální ústav
    • Geologický ústav
    • Historický ústav
    • Masarykův ústav
    • Matematický ústav
    • Orientální ústav
    • Psychologický ústav
    • Slovanský ústav
    • Sociologický ústav
    • Ústav analytické chemie
    • Ústav anorganické chemie
    • Ústav pro českou literaturu
    • Ústav dějin umění
    • Ústav fyziky atmosféry
    • Ústav fotoniky a elektroniky
    • Ústav fyzikální chemie J. H.
    • Ústav fyziky materiálů
    • Ústav geoniky
    • Ústav pro hydrodynamiku
    • Ústav chemických procesů
    • Ústav informatiky
    • Ústav pro jazyk český
    • Ústav jaderné fyziky
    • Ústav makromolekulární chemie
    • Ústav pro soudobé dějiny
    • Ústav přístrojové techniky
    • Ústav státu a práva
    • Ústav struktury a mechaniky hornin
    • Ústav teoretické a aplikované mechaniky
    • Ústav teorie informace a automatizace
    • Ústav výzkumu globální změny
Pokročilé vyhledávání
  • Domovská stránka
  • Vyhledávání: "Oostra, D. J."
  • Navrhnout nákup titulu
Zobrazeno 1 - 10 of 17 pro vyhledávání: '"Oostra, D. J."'
1
Akademický článek
Mechanisms of sputtering of Si in a CI2 environment by ions with energies down to 75 eV.
Autor: Oostra, D. J., Haring, A., van Ingen, R. P., de Vries, A. E.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1988, Vol. 64 Issue 1, p315, 8p
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Laser-induced etching of Si with chlorine.
Autor: Baller, T., Oostra, D. J., de Vries, A. E., van Veen, G. N. A.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1986, Vol. 60 Issue 7, p2321, 6p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
β-FeSi2 in (111)Si and in (001) Si formed by ion-beam synthesis.
Autor: Oostra, D. J., Bulle-Lieuwma, C. W. T., Vandenhoudt, D. E. W., Felten, F., Jans, J. C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1993, Vol. 74 Issue 7, p4347, 7p, 2 Black and White Photographs, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Transition metal silicides in silicon technology.
Autor: Reader, A H, Ommen, A H van, Weijs, P J W, Wolters, R A M, Oostra, D J
Publikováno v: Reports on Progress in Physics; 1993, Vol. 56 Issue 11, p1397-1467, 71p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Can carbon-implanted silicon be applied as wide-bandgap emitter?
Autor: Oostra, D. J., Politiek, J., Bulle-Lieuwma, C. W. T., Vandenhoudt, D. E. W., Zalm, P. C.
Publikováno v: Journal of Materials Research; 07/01/1996, Vol. 11 Issue 7, p1653-1658, 6p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Sputtering of SiO2 in a XeF2 and in a Cl2 atmosphere.
Autor: Oostra, D. J., Haring, A., de Vries, A. E.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics Processing & Phenomena; 1986, Vol. 4 Issue 6, p1278-1282, 5p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Energy distributions from electron-sputtered solid nitrogen.
Autor: Pedrys, R., Oostra, D. J., Haring, A., Devries, A. E., Schou, J.
Publikováno v: Radiation Effects & Defects in Solids; Jul1989, Vol. 109 Issue 1-4, p239-244, 6p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Epitaxial CoSi2 formation on Si(001) from an amorphous Co75W25 sputtered layer.
Autor: La Via, F., Reader, A. H., Duchateau, J. P. W. B., Naburgh, E. P., Oostra, D. J., Kinneging, A. J.
Publikováno v: Journal of Vacuum Science & Technology: Part B-Microelectronics & Nanometer Structures; 1992, Vol. 10 Issue 5, p2284-2292, 9p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Near threshold sputtering of Si and SiO2 in a Cl2 environment.
Autor: Oostra, D. J., van Ingen, R. P., Haring, A., de Vries, A. E., van Veen, G. N. A.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 5/25/1987, Vol. 50 Issue 21, p1506, 3p
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Ion-assisted etching of silicon by SF6.
Autor: Oostra, D. J., Haring, A., de Vries, A. E., Sanders, F. H. M., Miyake, K.
Publikováno v: Applied Physics Letters; 6/15/1985, Vol. 46 Issue 12, p1166, 3p
Zobrazit plný text záznamu
  • 1
  • 2
  • Další »
  • [2]

Vyhledávací nástroje:

  • RSS
  • Poslat e-mailem

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje
Pouze tištěné dokumenty
Zahrnout EIZ
  • 15 Akademické články
  • 1 Časopisy
  • 1 Konferenční materiály
  • 8 silicon
  • 4 ion bombardment
  • 4 semiconductor etching
  • 4 sputtering (physics)
  • 2 chlorine
  • 2 ions
  • 2 mass spectrometry
  • 2 plasma etching
  • 2 sulfur hexafluoride
  • 2 time-of-flight mass spectrometry
  • 12 american institute of physics
  • 1 cambridge university press
  • 1 iop publishing
  • 1 springer nature
  • 1 taylor & francis ltd
  • 6 journal of applied physics
  • 4 applied physics letters
  • 1 journal of materials research
  • 1 journal of vacuum science & technology: part b-microelectronics & nanometer structures
  • 1 journal of vacuum science & technology: part b-microelectronics processing & phenomena
  • 1 mrs online proceedings library
  • 1 radiation effects & defects in solids
  • 1 radiation effects and defects in solids
  • 1 reports on progress in physics
  • 11 Complementary Index
  • 5 Academic Search Ultimate
  • 1 Supplemental Index

Možnosti vyhledávání

  • Tematická mapa
  • Historie vyhledávání
  • Pokročilé vyhledávání

Objevte více

  • Abecední procházení

Hledáte pomoc?

  • Tipy pro vyhledávání
načítá se......