Zobrazeno 1 - 10
of 133
pro vyhledávání: '"Onuma, Takeyoshi"'
Autor:
Majer, Lena N., Acartürk, Tolga, van Aken, Peter A., Braun, Wolfgang, Camuti, Luca, Eckl-Haese, Johan, Mannhart, Jochen, Onuma, Takeyoshi, Rabinovich, Ksenia S., Schlom, Darrell G., Smink, Sander, Starke, Ulrich, Steele, Jacob, Vogt, Patrick, Wang, Hongguang, Hensling, Felix V. E.
Sapphire is a technologically highly relevant material, but it poses many challenges to performing epitaxial thin-film deposition. We have identified and applied the conditions for adsorption-controlled homoepitaxial growth of c-plane sapphire. The f
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2407.17194
Publikováno v:
AIP Advances 13, 055304 (2023)
We have calculated formation enthalpies, band gaps, and natural band alignment for $\rm MgO_{1-x}S_{x}$ alloys by first principles calculation based on density functional theory. The calculated formation enthalpies show that the $\rm MgO_{1-x}S_{x}$
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2212.13330
Autor:
Jinno, Riena, Chang, Celesta S., Onuma, Takeyoshi, Cho, Yongjin, Ho, Shao-Ting, Cao, Michael C., Lee, Kevin, Protasenko, Vladimir, Schlom, Darrell G., Muller, David A., Xing, Huili G., Jena, Debdeep
Ultra-wide bandgap semiconductors are ushering in the next generation of high power electronics. The correct crystal orientation can make or break successful epitaxy of such semiconductors. Here it is discovered that single-crystalline layers of $\al
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.03415
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Onuma, Takeyoshi, Kudo, Kanta, Ono, Mizuki, Kosaka, Wataru, Shima, Kohei, Ishii, Kyohei, Kaneko, Kentaro, Ota, Yuichi, Yamaguchi, Tomohiro, Kojima, Kazunobu, Fujita, Shizuo, Chichibu, Shigefusa F., Honda, Tohru
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 7/14/2023, Vol. 134 Issue 2, p1-11, 11p
Autor:
Steele, Jacob, Azizie, Kathy, Pieczulewski, Naomi, Kim, Yunjo, Mou, Shin, Asel, Thaddeus J., Neal, Adam T., Jena, Debdeep, Xing, Huili G., Muller, David A., Onuma, Takeyoshi, Schlom, Darrell G.
Publikováno v:
APL Materials; Apr2024, Vol. 12 Issue 4, p1-12, 12p
Autor:
Tsukazaki, Atsushi, Kubota, Masashi, Ohtomo, Akira, Onuma, Takeyoshi, Ohtani, Keita, Ohno, Hideo, Chichibu, Shigefusa F., Kawasaki, Masashi
A near-band-edge bluish electroluminescence (EL) band centered at around 440 nm was observed from ZnO p-i-n homojunction diodes through a semi-transparent electrode deposited on the p-type ZnO top layer. The EL peak energy coincided with the photolum
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/cond-mat/0504587