Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"Ono, Yuzuki"'
Publikováno v:
Mater. Res. Express 10 (2023) 085602
We have demonstrated a simple and accurate method for characterizing the capacitance of Graphene/n-Si Schottky junction solar cells (GSSCs) which embed the metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitor. We measured two types of GSSCs, one with thermal an
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2304.06320
Autor:
Ono, Yuzuki, Im, Hojun
Publikováno v:
Jpn. J. Appl. Phys. 62, 045002 (2003)
Thermal annealing is one of most effective way to improve the efficiency of graphene/n-Si Schottky junction solar cell. Here, its underlying mechanism has been investigated by comparative studies in terms of the removal of polymethyl methacrylate (PM
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2209.08365
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.