Zobrazeno 1 - 10 of 48 pro vyhledávání: '"Ongstad, Andrew"'
1
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
2
Akademický článek
High-temperature performance in ∼4 μm type-II quantum well lasers with increased strain.
Autor: Ongstad, Andrew P., Kaspi, Ron, Chavez, Joeseph R., Dente, Gregory C., Tilton, Michael L., Gianardi, Donald M.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 11/15/2002, Vol. 92 Issue 10, p5621, 6p, 1 Diagram, 1 Chart, 7 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Linewidth analysis of the photoluminescence from InAs/GaSb/InAs/AlSb type-II superlattices.
Autor: Ongstad, Andrew P., Dente, Gregory C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 6/1/2000, Vol. 87 Issue 11, p7896, 7p, 2 Charts, 6 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Studies of reactions of importance in the stratosphere. VI. Temperature dependence of the reactions O+NO2→NO+O2 and O+ClO→Cl+O2.
Autor: Ongstad, Andrew P., Birks, John W.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; 9/15/1986, Vol. 85 Issue 6, p3359, 10p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Studies of reactions of importance in the stratosphere. V. Rate constants for the reactions O+NO2→NO+O2 and O+ClO→Cl+O2 at 298 K.
Autor: Ongstad, Andrew P., Birks, John W.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; Nov1984, Vol. 81 Issue 9, p3922-3930, 9p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Photodissociation dynamics of S4N4 at 222 and 248 nm.
Autor: Ongstad, Andrew P., Lawconnell, Robert I., Henshaw, Thomas L.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; 7/15/1992, Vol. 97 Issue 2, p1053, 12p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
Photodissociation of S4N4. I. 248 nm.
Autor: Henshaw, Thomas L., Ongstad, Andrew P., Lawconnell, Robert I.
Publikováno v: Journal of Chemical Physics; 1/1/1992, Vol. 96 Issue 1, p53, 14p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Carrier heating and the power independent linewidth in semiconductor lasers.
Autor: Ongstad, Andrew P., Dente, Gregory C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 7/1/1997, Vol. 82 Issue 1, p84, 5p, 1 Chart, 1 Graph
Zobrazit plný text záznamu
10
Akademický článek
Carrier spillover at 300, 195, and 77 K in InGaAs and GaAs single quantum wells.
Autor: Ongstad, Andrew P., Tilton, Michael L., Bochove, Erik J., Dente, Gregory C.
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 9/1/1996, Vol. 80 Issue 5, p2866, 7p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje