Výsledky vyhledávání

Report

Features of ultrasound absorption by dislocations in subgrain-free cd\boldmath$_{0.2} $hg$_{0.8}$te crystals

Autor: Lysyuk, I. O., Olikh, Ya. M., Olikh, O. Ya., Beketov, G. V.

Publikováno v: Ukrainian Journal of Physics, 2014, Vol. 59, no. 1, pp. 50-57

The temperature dependence of the ultrasound wave absorption in bulk $p$-Cd$_{0.2}$Hg$_{0.8}$Te crystals free from low-angle grain boundaries has been studied experimentally for the first time in the frequency range 10--55 MHz and the temperature int

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1401.5284

Zobrazit plný text záznamu

Report

Acoustoelectric Study of Interface Trapping Defects in GaAs Epitaxial Strucrures

Autor: Ostrovskii, I. V., Saiko, S. V., Olikh, O. Ya., Walther, H. G.

A new acousto-electrical method making use of transient transverse acoustoelectric voltage (TAV) to study solid state structures is reported. This voltage arises after a surface acoustic wave (SAW) generating the signal is switched off. Related measu

Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/cond-mat/9710249

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Features of FeB pair light-induced dissociation and repair in silicon n⁺-p-p⁺ structures under ultrasound loading.

Autor: Olikh, O., Kostylyov, V., Vlasiuk, V., Korkishko, R., Olikh, Ya., Chupryna, R.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 12/21/2021, Vol. 130 Issue 23, p1-9, 9p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

MODELING OF IDEALITY FACTOR VALUE IN n⁺–p–p⁺-Si STRUCTURE.

Autor: Olikh, O. Ya.¹ olikh@univ.kiev.ua, Zavhorodnii, O. V.¹

Publikováno v: Journal of Physical Studies. 2020, Vol. 24 Issue 4, p4701-1-4701-8. 8p.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Acousto–defect interaction in irradiated and non-irradiated silicon n⁺–p structures.

Autor: Olikh, O. Ya., Gorb, A. M., Chupryna, R. G., Pristay-Fenenkov, O. V.

Publikováno v: Journal of Applied Physics; 2018, Vol. 123 Issue 16, pN.PAG-N.PAG, 12p, 1 Diagram, 6 Charts, 10 Graphs

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Experimental investigation and theoretical modeling of textured silicon solar cells with rear metallization.

Autor: Sachenko, A. V., Kostylyov, V. P., Korkishko, R. M., Vlasiuk, V. M., Sokolovskyi, I. O., Evstigneev, M., Olikh, O. Ya., Shkrebtii, A. I., Dvernikov, B. F., Chernenko, V. V.

Publikováno v: Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics; 2022, Vol. 25 Issue 3, p331-341, 11p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání