Zobrazeno 1 - 10
of 575
pro vyhledávání: '"Olea, J."'
Autor:
Olea, J., Gonzalo, J., Siegel, J., Braña, A.F., Godoy-Pérez, G., Benítez-Fernández, R., Caudevilla, D., Algaidy, S., Pérez-Zenteno, F., Duarte-Cano, S., Prado, A. del, García-Hemme, E., García-Hernansanz, R., Pastor, D., San-Andrés, E., Mártil, I.
Publikováno v:
In Materials Today Sustainability December 2024 28
Publikováno v:
Materials Science in Semiconductor Processing, Volume 100, September 2019, Pages 8-14
High-quality Al0.37In0.63N layers have been grown by reactive radio-frequency (RF) sputtering on sapphire, glass and Si (111) at low substrate temperature (from room temperature to 300{\deg}C). Their structural, chemical and optical properties are in
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1909.12068
Autor:
Algaidy, S., Caudevilla, D., Perez-Zenteno, F., García-Hernansanz, R., García-Hemme, E., Olea, J., San Andrés, E., Duarte-Cano, S., Siegel, J., Gonzalo, J., Pastor, D., del Prado, A.
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing January 2023 153
Autor:
Valdueza-Felip, S., Núñez-Cascajero, A., Blasco, R., Montero, D., Grenet, L., de la Mata, M., Fernández, S., Marcos, L. Rodríguez-De, Molina, S. I., Olea, J., Naranjo, F. B.
We report the influence of the AlN interlayer thickness (0-15 nm) on the photovoltaic properties of Al0.37In0.63N on Si heterojunction solar cells deposited by radio frequency sputtering. The poor junction band alignment and the presence of a 2-3 nm
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1808.01117
Autor:
Olea, J., Algaidy, S., del Prado, A., García-Hemme, E., García-Hernansanz, R., Montero, D., Caudevilla, D., González-Díaz, G., Soria, E., Gonzalo, J.
Publikováno v:
In Journal of Alloys and Compounds 15 April 2020 820
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
GarcĂ-a-Hernansanz, R, Duarte-Cano, S, PĂ©rez-Zenteno, F, Caudevilla, D, Algaidy, S, GarcĂ-a-Hemme, E, Olea, J, Pastor, D, Del Prado, A, San AndrĂ©s, E, Mártil, I, Ros, E, Puigdollers, J, Ortega, P, Voz, C
Publikováno v:
Semiconductor Science & Technology; Dec2023, Vol. 38 Issue 12, p1-11, 11p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.