Zobrazeno 1 - 10 of 75 pro vyhledávání: '"Okuda, Takafumi"'
1
Dissertation/ Thesis
Enhancement of Carrier Lifetimes in SiC and Fabrication of Bipolar Junction Transistors
Autor: Okuda, Takafumi
0048
甲第19312号
工博第4109号
新制||工||1633(附属図書館)
32314
学位規則第4条第1項該当
Doctor of Philosophy (Engineering)
Kyoto University
DFAM
Externí odkaz: http://hdl.handle.net/2433/202717
Zobrazit plný text záznamu
2
Report
High-Speed Gate Driver Using GaN HEMTs for 20-MHz Hard Switching of SiC MOSFETs
Autor: Okuda, Takafumi, Hikihara, Takashi
In this paper, we investigated a gate driver using a GaN HEMT push-pull configuration for the high-frequency hard switching of a SiC power MOSFET. Low on-resistance and low input capacitance of GaN HEMTs are suitable for a high-frequency gate driver
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1711.02832
Zobrazit plný text záznamu
3
Report
Microscopic Mechanism of Carbon Annihilation upon SiC Oxidation due to Phosphorous Treatment: Density-Functional Calculations Combined with Ion Mass Spectrometry
Autor: Kobayashi, Takuma, Matsushita, Yu-ichiro, Okuda, Takafumi, Kimoto, Tsunenobu, Oshiyama, Atsushi
Publikováno v: Appl. Phys. Express 11 (2018) 121301
We report first-principles static and dynamic calculations that clarify the microscopic mechanism of carbon annihilation due to phosphorous treatment upon oxidation of silicon carbide (SiC). We identify the most stable form of the phosphorus (P) in t
Externí odkaz: http://arxiv.org/abs/1703.08063
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
6
Digital active gate drive of SiC MOSFETs for controlling switching behavior -- Preparation toward universal digitization of power switching
Autor: Takayama, Hajime, Okuda, Takafumi, Hikihara, Takashi
Publikováno v: International Journal of Circuit Theory and Applications. 50(1):183-196
In this paper, a digital active gate driver for SiC power MOSFETs is proposed. High-frequency switching with SiC power MOSFETs can realize an integrated power circuit with higher power density. However, the large surge voltage and ringing caused by t
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::f2f3ea704d5df31a046e6cbdcb681f19
http://hdl.handle.net/2433/267427
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
8
Design and formation of SiC (0001)/SiO2 interfaces via Si deposition followed by low-temperature oxidation and high-temperature nitridation
Autor: Kobayashi, Takuma, Okuda, Takafumi, Tachiki, Keita, Ito, Koji, Matsushita, Yu-ichiro, Kimoto, Tsunenobu
Publikováno v: Applied Physics Express. 13(9)
We report an effective approach to reduce defects at a SiC/SiO2 interface. Since oxidation of SiC may inevitably lead to defect creation, the idea is to form the interface without oxidizing SiC. Our method consists of four steps: (i) H2 etching of Si
Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::3f76f3277e3f5689e2fd2d75b627969d
http://hdl.handle.net/2433/254069
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
10
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje