Zobrazeno 1 - 10
of 96
pro vyhledávání: '"Oki, Kensuke"'
Publikováno v:
In Materials Science in Semiconductor Processing September 2022 148
Publikováno v:
In Journal of Luminescence March 2022 243
Autor:
Oki, Kensuke, Ishitani, Yoshihiro
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 5/28/2019, Vol. 125 Issue 20, pN.PAG-N.PAG, 13p, 1 Chart, 7 Graphs
Autor:
Matsumoto, Yoshihisa *, Oki, Kensuke, Tanaka, Masahito, Fujigami, Futoshi, Harada, Yasunori, Morinaga, Masahiko
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering A 2004 385(1):133-139
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 3/15/1995, Vol. 77 Issue 6, p2370, 5p, 4 Diagrams, 2 Graphs
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kuwano, Noriyuki, Taki, Wataru, Oki, Kensuke, Kawaguchi, Yasutoshi, Hiramatsu, Kazumasa, Sawaki, Nobuhiko
Publikováno v:
日本結晶成長学会誌. 25(2):106-112
Transmission electron microscope (TEM) analysis has been carried out for the growth process in thick InGaN layers prepared by metalorganic vapor phase epitaxy. In the case of growth on GaN/LT-AlN/α-Al_2O_3 (0001) , a thin InGaN Layer of a good quali
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::17827a23dc66174a9cab65bd62178128
http://hdl.handle.net/10076/8602
http://hdl.handle.net/10076/8602
Publikováno v:
Materia Japan. 35:695-699
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::1ad203265003c9d73ff846c0cde51294
https://doi.org/10.2320/materia.35.695
https://doi.org/10.2320/materia.35.695
Autor:
Oki, Kensuke, Saito, Yasutoshi, Sato, Hiroshi, Itakura, Masaru, Kuwano, Noriyuki, Yamashita, Seiichi, Yamaguchi, Toshio, Wakita, Hisanobu
Publikováno v:
Journal of Applied Physics; 4/15/1991, Vol. 69 Issue 8, p4693, 3p, 1 Chart, 3 Graphs