Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

InGaP/GaAs/AlGaAs power DHBT with enhanced linearity near saturation region

Autor: Oka, Tohru, Fujita, Koichiro, Yamashita, Masaharu, Twynam, John K., Sakuno, Keiichi

Publikováno v: Oka, Tohru ; Fujita, Koichiro ; Yamashita, Masaharu ; Twynam, John K. ; Sakuno, Keiichi (2005) InGaP/GaAs/AlGaAs power DHBT with enhanced linearity near saturation region. In: Gallium Arsenide applications symposium. GAAS 2005, 3-7 ottobre 2005, Parigi.

This paper describes InGaP/GaAs/AlGaAs power DHBTs with the enhanced linearity near saturation output regions. The DHBT, having compositionally graded AlGaAs collector layers with a -doped layer, effectively improved the nonlinearity of the base-coll

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::5384b1c770c94a4c88438b3d41fc9501

Novel GaAs Heterojunction Bipolar Transistor Technologies for High-Speed and Low-Power Applications

Autor: Oka, Tohru

Kyoto University (京都大学)
0048
乙第11202号
論工博第3723号
新制||工||1282(附属図書館)
UT51-2003-H864
学位規則第4条第2項該当

Externí odkaz: http://hdl.handle.net/2433/148898