Zobrazeno 1 - 10
of 26
pro vyhledávání: '"Ohta, Yohei"'
Autor:
Mori, Ryutaro, Matsuyama, Ryusei, Taniguchi, Koichi, Goto, Koki, Miyake, Kentaro, Hiratani, Seigo, Homma, Yuki, Ohta, Yohei, Kumamoto, Takafumi, Morioka, Daisuke, Endo, Itaru
Publikováno v:
In Clinical Nutrition ESPEN December 2019 34:116-124
Autor:
Sugiyama, Hiroyuki, Nagano, Takayuki, Nouchi, Ryo, Kawasaki, Naoko, Ohta, Yohei, Imai, Kumiko, Tsutsui, Michiko, Kubozono, Yoshihiro, Fujiwara, Akihiko
Publikováno v:
In Chemical Physics Letters 2007 449(1):160-164
Publikováno v:
In Earth and Planetary Science Letters 2003 214(3):455-466
Isotopic search for live 135Cs in the early solar system and possibility of 135Cs– 135Ba chronometer
Publikováno v:
In Earth and Planetary Science Letters 2001 193(3):459-466
Autor:
Sugiyama, Hiroyuki, Nagano, Takayuki, Nouchi, Ryo, Kawasaki, Naoko, Ohta, Yohei, Imai, Kumiko, Tsutsui, Michiko, Kubozono, Yoshihiro, Fujiwara, Akihiko
Publikováno v:
Chemical Physics Letters. 449(1-3):160-164
The C_ field-effect transistor (FET) showed n-channel normally-off like behavior with n-channel field-effect mobility, μ_n, of 3.9 × 10^ cm^2 V^ s^, and the highest on-off ratio, 125, among higher fullerenes FETs. The carrier transport in the C_ FE
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::310ed1dcf0d4eb308297a37765df10ad
http://hdl.handle.net/10119/7863
http://hdl.handle.net/10119/7863
Autor:
Ohta, Yohei, Mitsuhashi, Ryoji, Nouchi, Ryo, Fujiwara, Akihiko, Hino, Shojun, Kubozono, Yoshihiro
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 94(4):043107-043107-3
A C_ close-packed surface was formed by a heating of the Si surface, which is covered with C_ molecules. The close-packed surface is assigned to high-temperature hexagonal close-packed phase. The stability of C_ close-packed surface and formation of
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::c52a98ea92bec41b90c62849ffa22cbc
http://hdl.handle.net/10119/7866
http://hdl.handle.net/10119/7866
Publikováno v:
Applied Physics Letters. 92(17):173306-173306-3
C_ field-effect transistor (FET) has been fabricated with a single Schottky barrier formed by an insertion of 1-dodecanethiol at the interface between the active layer and the gate dielectric. The suppression of drain current is observed at low drain
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::8f6a7f17ef3496a6b13d44d1b7dbf7cc
http://hdl.handle.net/10119/4410
http://hdl.handle.net/10119/4410
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.