Zobrazeno 1 - 10
of 683
pro vyhledávání: '"Ohmi, M."'
Publikováno v:
In Journal of Nuclear Materials March 2012 422(1-3):14-19
Publikováno v:
In Journal of Nuclear Materials 2007 367 Part A:539-543
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Yonekawa, M., Ishii, T., Ohmi, M., Takada, F., Hoshiya, T., Niimi, M., Ioka, I., Miwa, Y., Tsuji, H.
Publikováno v:
In Journal of Nuclear Materials 2002 307 Part 2:1613-1618
Publikováno v:
Science and Technology of Advanced Materials, Vol 8, Iss 3, p 137 (2007)
The formation of silicon dioxide (SiO2) layers at low temperatures (150–400 °C) by atmospheric pressure plasma oxidation of Si(0 0 1) wafers have been studied using a gas mixture containing He and O2. A 150 MHz very high frequency (VHF) power supp
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d860b824f78143d1a6ed6de0276530dd
Publikováno v:
In Journal of Nuclear Materials 2000 283 Part 2:1023-1027
Autor:
Niimi, M a, *, Matsui, Y a, Jitsukawa, S b, Hoshiya, T a, Tsukada, T b, Ohmi, M a, Mimura, H a, Ooka, N a, Hide, K c
Publikováno v:
In Journal of Nuclear Materials 1999 271:92-96
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.