Zobrazeno 1 - 10 of 73 pro vyhledávání: '"Ohmachi, Yoshiro"'
1
Akademický článek
Raman microprobe analysis of stress in Ge and GaAs/Ge on SiO2-coated Si substrates.
Autor: Nishioka, Takashi, Shinoda, Yukinobu, Ohmachi, Yoshiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 1/15/1985, Vol. 57 Issue 2, p276, 6p, 7 Black and White Photographs, 2 Diagrams, 2 Charts, 2 Graphs
Zobrazit plný text záznamu
2
Akademický článek
Single-crystal Ge films on SiO2-coated Si wafers by laterally seeded heteroepitaxy.
Autor: Nishioka, Takashi, Shinoda, Yukinobu, Ohmachi, Yoshiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Jul1984, Vol. 56 Issue 2, p336-341, 6p
Zobrazit plný text záznamu
3
Akademický článek
The heteroepitaxy of Ge on Si(100) by vacuum evaporation.
Autor: Ohmachi, Yoshiro, Nishioka, Takashi, Shinoda, Yukinobu
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1983, Vol. 54 Issue 9, p5466-5469, 4p
Zobrazit plný text záznamu
4
Akademický článek
Acousto-optical light diffraction in thin films.
Autor: Ohmachi, Yoshiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Sep1973, Vol. 44 Issue 9, p3928-3933, 6p
Zobrazit plný text záznamu
5
Akademický článek
Vitreous As2Se3; Investigation of Acousto-Optical Properties and Application to Infrared Modulator.
Autor: Ohmachi, Yoshiro, Uchida, Naoya
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Apr1972, Vol. 43 Issue 4, p1709-1712, 4p
Zobrazit plný text záznamu
6
Akademický článek
Temperature Dependence of Elastic, Dielectric, and Piezoelectric Constants in TeO2 Single Crystals.
Autor: Ohmachi, Yoshiro, Uchida, Naoya
Publikováno v: Journal of Applied Physics; May1970, Vol. 41 Issue 6, p2307-2311, 5p
Zobrazit plný text záznamu
7
Akademický článek
Elastic and Photoelastic Properties of TeO2 Single Crystal.
Autor: Uchida, Naoya, Ohmachi, Yoshiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1969, Vol. 40 Issue 12, p4692-4695, 4p
Zobrazit plný text záznamu
8
Akademický článek
InP crystal growth on planar SiO2 substrates.
Autor: Oku, Satoshi, Mori, Hidefumi, Ohmachi, Yoshiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; 10/1/1985, Vol. 58 Issue 7, p2767, 3p
Zobrazit plný text záznamu
9
Akademický článek
Silicon-ion implantation in InP and annealing with CVD SiO2 encapsulation.
Autor: Nishioka, Takashi, Ohmachi, Yoshiro
Publikováno v: Journal of Applied Physics; Nov1980, Vol. 51 Issue 11, p5789-5791, 3p
Zobrazit plný text záznamu
10
Conference
Numerical analysis of an optical motor based on the radiation pressure.
Autor: Ohmachi, Yoshiro, Baba, Kazuhiro, Higurashi, Eiji
Publikováno v: Proceedings of SPIE; Nov1996, Issue 1, p333-338, 6p
Zobrazit plný text záznamu

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání

Omezení vyhledávání
Plný text Recenzováno Digitální knihovna AV ČR
Zdroje