Zobrazeno 1 - 10
of 173
pro vyhledávání: '"Oganesyan, G.A."'
Publikováno v:
In Physica B: Condensed Matter 1 July 2024 684
Publikováno v:
In Nuclear Inst. and Methods in Physics Research, B 1 October 2016 384:100-105
Publikováno v:
In Acta Materialia November 2015 100:1-10
Autor:
Elsayed, M., Yu. Arutyunov, N., Krause-Rehberg, R., Emtsev, V.V., Oganesyan, G.A., Kozlovski, V.V.
Publikováno v:
In Acta Materialia 15 January 2015 83:473-478
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Kozlovski, V.V., Emtsev, V.V., Ivanov, A.M., Lebedev, A.A., Oganesyan, G.A., Poloskin, D.S., Strokan, N.B.
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 December 2009 404(23-24):4752-4754
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 15 December 2009 404(23-24):4693-4697
Publikováno v:
In Materials Science & Engineering B 2008 154:133-136
Autor:
null Shakhov L.V, null Smirnov A.N., null Oganesyan G.A., null Nikitina I.P., null Lebedev S.P., null Eliseev I.A., null Davydov V.Yu., null Lebedev A.A.
Publikováno v:
Semiconductors. 56:171
Heavily doped 3C-SiC films based on semi-insulating 6H-SiC substrates were obtained by sublimation epitaxy. The structural perfection of the obtained samples was monitored by X-ray diffractometry. The measurements of the photoluminescence and Hall ef
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f2376a5d138bb95419139041983d91ac
https://doi.org/10.21883/sc.2022.02.53047.9752
https://doi.org/10.21883/sc.2022.02.53047.9752
Publikováno v:
In Physica B: Physics of Condensed Matter 2007 401:487-490