Zobrazeno 1 - 10
of 787
pro vyhledávání: '"Off state"'
Autor:
Minseung Kang, Ung Cho, Jaehyeon Kang, Narae Han, Hyeong Jun Seo, Jee‐Eun Yang, Seokyeon Shin, Taehyun Kim, Sangwook Kim, Changwook Jeong, Sangbum Kim
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 10, Iss 8, Pp n/a-n/a (2024)
Abstract Charge storage synaptic circuits employing InGaZnO thin‐film transistors (IGZO TFTs) and capacitors are a promising candidate for on‐chip trainable neural network hardware accelerators. However, IGZO TFTs often exhibit bias instability.
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/aa30a18f4ea4494c860be9a42817b039
Autor:
Yunjiao Bao, Gangping Yan, Lei Cao, Chuqiao Niu, Qingkun Li, Guanqiao Sang, Lianlian Li, Yanzhao Wei, Xuexiang Zhang, Jie Luo, Yanyu Yang, Gaobo Xu, Huaxiang Yin
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 637-644 (2024)
In this article, a partially isolated dual work function (PIDWF) gate In-Ga-Zn-O (IGZO) thin-film transistor (TFT) is proposed to reduce the off-state current (Ioff) obviously, which also provides a feasible integration method for stacking IGZO TFT o
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/36b00619ee6f4e9dbf7272f0d1aff2a3
Autor:
Takeya Hirose, Yuki Okamoto, Yusuke Komura, Toshiki Mizuguchi, Toshihiko Saito, Minato Ito, Kiyotaka Kimura, Hiroki Inoue, Tatsuya Onuki, Yoshinori Ando, Hiromi Sawai, Tsutomu Murakawa, Hitoshi Kunitake, Hajime Kimura, Takanori Matsuzaki, Makoto Ikeda, Shunpei Yamazaki
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 12, Pp 236-242 (2024)
We present a three-dimensional (3D) DRAM prototype, which is formed using oxide semiconductor FETs (OSFETs) monolithically stacked on a Si CMOS. The OSFETs are composed of a one-layer planar FET and two-layer vertical FETs (VFETs). The 1T1C memory ce
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/936c403535f14b428f2a5a71bfb5a0ef
Autor:
Yijun Qian, Qiang Liu, Jialun Yao, Xiaowei Wang, Amit Kumar Shukla, Fengyu Liu, Tao Wu, Kai Lu, Yemin Dong, Xing Wei, Wenjie Yu, Zhiqiang Mu, Yumeng Yang
Publikováno v:
IEEE Journal of the Electron Devices Society, Vol 11, Pp 319-324 (2023)
Forward back biasing (FBB) technique is considered as a potential solution for aging compensation in silicon on insulator (SOI) MOSFET. However, traditional SOI devices under FBB would suffer from extra off-state leakage current $(I_{\mathrm{ off}})$
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/a7bafb4ca3004a81a5f84dde313c17c0
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 5, p 571 (2024)
We prepared AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) with GaN cap thicknesses of 0, 1, 3, and 5 nm and compared the material characteristics and device performances. It was found that the surface morphology of the epitaxial layer was effe
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/cea43d8e3b0d4997ad378abf0976e8c9
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Micromachines, Vol 15, Iss 1, p 127 (2024)
With the technological scaling of metal–oxide–semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) and the scarcity of circuit design margins, the characteristics of device reliability have garnered widespread attention. Traditional single-mode relia
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/ac7503592862475ea65d98861d18fc6f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.