Výsledky vyhledávání - "Oda, Hidekazu"

Relationship between soft error rate in SOI-SRAM and amount of generated charge by high energy ion probes

Autor: Hazama, Masatoshi, Abo, Satoshi, Masuda, Naoyuki, Wakaya, Fujio, Onoda, Shinobu, Makino, Takahiro, Hirao, Toshio, Oshima, Takeshi, Iwamatsu, Toshiaki, Oda, Hidekazu, Takai, Mikio

Publikováno v: 宇宙航空研究開発機構特別資料 = JAXA Special Publication. :119-122

Soft error rates (SERs) in partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) static random access memories (SRAMs) with a technology node of 90 nm have been investigated by hydrogen, helium, lithium, beryllium, carbon and oxygen ions, accelerated up

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=jairo_______::c64199ce8fb052ff478cc1b22f7ae0dd
http://id.nii.ac.jp/1696/00004313/

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

New buried channel flash memory cell with symmetrical source/drain structure.

Autor: Oda, Hidekazu¹, Ueno, Shuichi¹, Ajika, Natsuo¹, Inuishi, Masahide¹, Miyoshi, Hirokazu¹

Publikováno v: Electronics & Communications in Japan, Part 2: Electronics. Apr97, Vol. 80 Issue 4, p76-84. 9p.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání