Zobrazeno 1 - 10
of 50
pro vyhledávání: '"Obolenskaya, E. S."'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Golikov, O. L., Zabavichev, I. Yu., Ivanov, A. S., Obolensky, S. V., Obolenskaya, E. S., Paveliev, D. G., Potekhin, A. A., Puzanov, A. S., Tarasova, E. A., Khazanova, S. V.
Publikováno v:
Russian Microelectronics; Feb2024, Vol. 53 Issue 1, p44-50, 7p
Autor:
Obolenskaya, E. S.1 (AUTHOR) bess009@mail.ru, Ivanov, A. S.1 (AUTHOR), Pavelyev, D. G.1 (AUTHOR), Kozlov, V. A.1,2 (AUTHOR), Vasilev, A. P.3,4 (AUTHOR)
Publikováno v:
Semiconductors. Sep2019, Vol. 53 Issue 9, p1192-1197. 6p.
Autor:
Khazanova, S. V., Golikov, O. L., Puzanov, A. S., Tarasova, E. A., Zabavichev, I. Yu., Potekhin, A. A., Obolenskaya, E. S., Ivanov, A. S., Paveliev, D. G., Obolensky, S. V.
Publikováno v:
Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics; Jun2023, Vol. 87 Issue 6, p800-804, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Puzanov, A. S., Bibikova, V. V., Zabavichev, I. Yu., Obolenskaya, E. S., Potekhin, A. A., Tarasova, E. A., Vostokov, N. V., Kozlov, V. A., Obolensky, S. V.
Publikováno v:
Semiconductors; Oct2021, Vol. 55 Issue 10, p780-784, 5p
Publikováno v:
Semiconductors. 56:552
The study of the radiation hardness of subterahertz radiation source from a Gunn diode oscillator and a multiplier, based on a semiconductor superlattice GaAs/AlAs was continued. The dependences of the output power on the frequency of a Gunn diode os
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e29ab70d6af43bcac88645df368c20f1
https://doi.org/10.21883/sc.2022.08.54112.29
https://doi.org/10.21883/sc.2022.08.54112.29
Autor:
Dyukov, D. I., Fefelov, A. G., Korotkov, A. V., Pavelyev, D. G., Kozlov, V. A., Obolenskaya, E. S., Ivanov, A. S., Obolensky, S. V.
Publikováno v:
Semiconductors; Oct2020, Vol. 54 Issue 10, p1360-1364, 5p
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.