Výsledky vyhledávání - "Obolenskaya, E."

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Electron Transport in a Bipolar Transistor with a Superlattice in the Emitter.

Autor: Golikov, O. L., Zabavichev, I. Yu., Ivanov, A. S., Obolensky, S. V., Obolenskaya, E. S., Paveliev, D. G., Potekhin, A. A., Puzanov, A. S., Tarasova, E. A., Khazanova, S. V.

Publikováno v: Russian Microelectronics; Feb2024, Vol. 53 Issue 1, p44-50, 7p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Calculating Current–Voltage Characteristics with Negative Differential Conductivity Sections of Superlattices Based on a GaAs/AlAs Compound with Different Numbers of Periods.

Autor: Khazanova, S. V., Golikov, O. L., Puzanov, A. S., Tarasova, E. A., Zabavichev, I. Yu., Potekhin, A. A., Obolenskaya, E. S., Ivanov, A. S., Paveliev, D. G., Obolensky, S. V.

Publikováno v: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics; Jun2023, Vol. 87 Issue 6, p800-804, 5p

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Comparison of the Features of Electron Transport and Subterahertz Generation in Diodes Based on 6-, 18-, 70-, and 120-Period GaAs/AlAs Superlattices.

Autor: Obolenskaya, E. S.¹ (AUTHOR) bess009@mail.ru, Ivanov, A. S.¹ (AUTHOR), Pavelyev, D. G.¹ (AUTHOR), Kozlov, V. A.^1,2 (AUTHOR), Vasilev, A. P.^3,4 (AUTHOR)

Publikováno v: Semiconductors. Sep2019, Vol. 53 Issue 9, p1192-1197. 6p.

Zobrazit plný text záznamu

Plný text ve formátu HTML

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Radiation hardness of subterahertz radiation source after neutron exposure

Autor: null Obolenskaya E. S., null Obolensky S. V., null Pavelyev D. G., null Ivanov A. S.

Publikováno v: Semiconductors. 56:552

The study of the radiation hardness of subterahertz radiation source from a Gunn diode oscillator and a multiplier, based on a semiconductor superlattice GaAs/AlAs was continued. The dependences of the output power on the frequency of a Gunn diode os

Externí odkaz: https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e29ab70d6af43bcac88645df368c20f1
https://doi.org/10.21883/sc.2022.08.54112.29

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Transport of hot charge carriers in Si, GaAs, InGaAs, and GaN submicrometer semiconductor structures with nanometer-scale clusters of radiation-induced defects.

Autor: Zabavichev, I.¹, Obolenskaya, E.¹, Potekhin, A.¹, Puzanov, A.¹, Obolensky, S.¹ obolensk@rf.unn.ru, Kozlov, V.

Publikováno v: Semiconductors. Nov2017, Vol. 51 Issue 11, p1435-1438. 4p.

Zobrazit plný text záznamu

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Akademický článek

Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.

Vyhledávací nástroje:

Upřesnit hledání