Zobrazeno 1 - 10
of 370
pro vyhledávání: '"Obert R"'
Publikováno v:
SPIE Newsroom.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::46626b7a2279bdc491661bdb933f744e
https://doi.org/10.1117/2.1201601.006323
https://doi.org/10.1117/2.1201601.006323
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Huang, Qiushi, de Boer, Meint, Barreaux, Jonathan, Paardekooper, Daniel Mathijs, van den Boogaard, Toine, van de Kruijs, Robbert, Zoethout, Erwin, Louis, Eric, Bijkerk, Fred, Wood, Obert R., Panning, Eric M.
Publikováno v:
Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography V
Plasma based radiation sources optimized to emit 13.5 nm Extreme UV radiation also produce a significant amount of light at longer wavelengths. This so called out-of-band (OoB) radiation is detrimental for the imaging capabilities of an EUV lithograp
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::65d921e7fb540fc9d98d0673e8dd2c55
https://doi.org/10.1117/12.2046415
https://doi.org/10.1117/12.2046415
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Obert R. Wood, Patrick P. Naulleau
Publikováno v:
Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography III.
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::99bada24c30100e3eddaf5e6e58f6a7f
https://doi.org/10.1117/12.932385
https://doi.org/10.1117/12.932385
Autor:
Makhotkin, Igor Alexandrovich, Zoethout, E., Louis, Eric, Yakunin, S.N., Muellender, S., Bijkerk, Frederik, Naulleau, Patrick P., Wood II, Obert R.
Publikováno v:
Extreme Ultraviolet (EUV) Lithography III
The spectral properties of LaN/B and LaN/B4C multilayer mirrors have been investigated in the 6.5-6.9 nm wavelength range, based on measured B and B4C optical constants. We show that the wavelength of optimal single mirror reflectance for boron based
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::0a48b72da074478ab0718ff9c3618215
https://research.utwente.nl/en/publications/f6df6477-73e1-41f2-aec1-5675062b61bc
https://research.utwente.nl/en/publications/f6df6477-73e1-41f2-aec1-5675062b61bc
Autor:
Craig H. Boyce, Glenn D. Kubiak, A.A. MacDowell, B. La Fontaine, R. S. Hutton, D.R. Wheeler, Obert R. Wood, Gary N. Taylor, Susan M. Stein
Publikováno v:
Microelectronic Engineering. 23:279-282
Advances in silylation materials, a bilayer resist scheme and innovative processing at each processing step have afforded optimum resolution with Shipley XP-8844 positive resist. In a bilayer resist version 0.2μm l/s were resolved by DUV exposure, w
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::45f9cc0728e52f95b0795e98867ae704
https://doi.org/10.1016/0167-9317(94)90155-4
https://doi.org/10.1016/0167-9317(94)90155-4