Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"Oberemok, O.S."'
Autor:
Lisovskyy, I.P., Voitovych, M.V., Sarikov, A.V., Zlobin, S.O., Lukianov, A.N., Oberemok, O.S., Dubikovsky, O.V.
Publikováno v:
In Journal of Non-Crystalline Solids 1 October 2023 617
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Oberemok, O.S., Sabov, T.M., Lisovskyy, I.P., Khacevych, I.M., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Voitovych, M.V.
Nickel oxide thin films were prepared by direct-current magnetron sputtering method at different deposition rates on unheated and heated substrates. It was shown that the deposited films are the dense arrays of nanowhiskers with the rhombohedral crys
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::8dcd54fcad370af2d773509693acde98
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120639
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120639
Autor:
Oberemok, O.S., Gamov, D.V., Litovchenko, V.G., Romanyuk, B.M., Melnik, V.P., Klad’ko, V.P., Popov, V.G., Gudymenko, O.Yo.
The transport of dissolved oxygen in the Czochralski silicon towards the arsenic-doped ultra-shallow junction was investigated. Ultra-shallow junction was formed by low-energy As+ ion implantation with the subsequent furnace annealing at 750 C-950 C
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::0d90990a73e9ad1324792040b2930f8c
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35276
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35276
Autor:
Trunov, M.L., Lytvyn, P.M., Nagy, P.M., Oberemok, O.S., Durkot, M.O., Tarnaii, A.A., Prokopenko, I.V., Rubish, V.M.
We have established that mass-transport processes in two types of amorphous materials, based on light-sensitive inorganic compounds like Se and As₂₀Se₈₀ chalcogenide glasses (ChG), can be enhanced at the nanoscale in the presence of localized
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::5281a31e208a6e01b978c11acb256030
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117815
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117815
The diffusion and gettering of oxygen are investigated after low-energy arsenic implantation and furnace annealing of SiO2/Si structures. Secondary ion mass spectrometry was used for examination of arsenic and oxygen depth profiles. It is shown that
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______2001::f9d05161f84f48c889638e5c1f952899
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35166
http://essuir.sumdu.edu.ua/handle/123456789/35166
Autor:
Oberemok, O.S., Litovchenko, V.G., Gamov, D.V., Popov, V.G., Melnik, V.P., Gudymenko, O.Yo., Nikirin, V.A., Khatsevich, І.M.
The peculiarities of buried layer formation obtained by co-implantation of O2 ions with the energy of 130 keV and carbon ions within the energy range of 30-50 keV have been investigated. The corresponding ion doses for carbon and oxygen ions were equ
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=od______1456::ef9a9c0798795f234f6df7bafab73ba2
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117760
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117760
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.