Zobrazeno 1 - 10
of 541
pro vyhledávání: '"Oba, Fumiyasu"'
Ferroelectricity in crystals is associated with the displacement of ions or rotations of polar units. Here we consider the dipole created by donor doping ($D^+$) and the corresponding bound polaron ($e^-$).A dipole of 6.15 Debye is predicted, from Be
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2205.11604
Oxidation states are well-established in chemical science teaching and research. We data-mine more than 168,000 crystallographic reports to find an optimal allocation of oxidation states to each element. In doing so we uncover discrepancies between t
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/2007.02085
Publikováno v:
Phys. Rev. B 101, 020102 (2020)
A correction method for vertical transition levels (VTLs) involving defect states calculated with a supercell technique is formulated and its effectiveness is systematically verified with ten defects in prototypical materials: cubic-BN, GaN, MgO, and
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1907.02380
Publikováno v:
Appl. Phys. Express 12 (2019) 091001
We report first-principles calculations that clarify the formation energies and charge transition levels of native point defects (Ga and O vacancies, interstitials, and a Ga vacancy-O vacancy pair) in corundum structured ${\alpha}$-Ga2O3. Either unde
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1906.03765
Publikováno v:
J. Appl. Phys. 125 (2019) 125701
We report first-principles calculations that clarify the formation energies and charge transition levels of native point defects and carbon clusters in the 4H polytype of silicon carbide (4H-SiC) under a carbon-rich condition. We applied a hybrid fun
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1901.05667
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Phys. Rev. Applied 10, 011001 (2018)
Zinc tin nitride (ZnSnN2) is attracting growing interest as a non-toxic and earth-abundant photoabsorber for thin-film photovoltaics. Carrier transport in ZnSnN2 and consequently cell performance are strongly affected by point defects with deep level
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1804.09357
The tin sulfides represent a materials platform for earth-abundant semiconductor technologies. We present a first-principles study of the five known and proposed phases of SnS together with SnS2 and Sn2S3. Lattice-dynamics techniques are used to eval
Externí odkaz:
http://arxiv.org/abs/1703.00361