Zobrazeno 1 - 10
of 122
pro vyhledávání: '"OXYGEN-IONIC CONDUCTIVITY"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
Advanced Electronic Materials, Vol 4, Iss 12, Pp n/a-n/a (2018)
Abstract Resistive switching devices based on oxides have outstanding properties, making them a promising candidate to replace today's transistor‐based computer memories as non‐volatile valence change memories, and can even find future applicatio
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/72330b0a069e49c0bc5db827e71c9d9f
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
E. S. Buyanova, V. M. Zhukovskiy, O. S. Kaymieva, M. V. Morozova, S. A. Petrova, Yu. V. Emel’yanova, Z. A. Mikhailovskaya
Publikováno v:
Chimica Techno Acta, Vol 2, Iss 4, Pp 306-325 (2015)
In the paper, a comprehensive systematic study of different classes of bismuth containing oxide compounds was carried out. The relationship between composition, temperature and concentration regions of existence of stable, specific structure and prop