Zobrazeno 1 - 3
of 3
pro vyhledávání: '"O.V. Berbets"'
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 22, Iss 3, Pp 437-443 (2021)
The influence of growth impurities (oxygen and carbon) on the thermalsdefect formation in silicon single crystals has been studied. Annealing was carried out in the temperature range 700-1100°C in steps of 50°C for 5 hours at each temperature. The
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/d4c10cb806194aa3a3d3b05375f0a26f
Publikováno v:
Фізика і хімія твердого тіла, Vol 22, Iss 3, Pp 437-443 (2021)
The influence of growth impurities (oxygen and carbon) on the thermalsdefect formation in silicon single crystals has been studied. Annealing was carried out in the temperature range 700-1100°C in steps of 50°C for 5 hours at each temperature. The
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::7f0364cdffac0de193e7cae4e0d32dfe
https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/4991
https://journals.pnu.edu.ua/index.php/pcss/article/view/4991
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.