Zobrazeno 1 - 10
of 14
pro vyhledávání: '"O.M. Kostiukevych"'
Publikováno v:
Клінічна та профілактична медицина, Iss 4, Pp 88-103 (2022)
Aim: to provide a literature review of the presently available data on the risk of thromboembolic events and current options for antithrombotic prophylaxis in patients with myeloproliferative neoplasms (MPN) patients with concomitant coronavirus dise
Externí odkaz:
https://doaj.org/article/1d725ec7c13f4be9a1449417769448df
Autor:
Valeriy A. Skryshevsky, O.M. Kostiukevych, Svitlana Gryn, Y.S. Milovanov, I.V. Gavrilchenko, Sergei Alekseev
Publikováno v:
Diamond and Related Materials. 91:84-89
The thick layers of freestanding porous silicon carbide (PSiC) were synthesized by electrochemical etching of polycrystalline silicon carbide (3C-SiC) substrates. The obtained layers exhibit homogenous nanostructured morphology with average pore diam
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::a9e5f18d5c836c63b1e531e89a989c9b
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2018.11.008
https://doi.org/10.1016/j.diamond.2018.11.008
Publikováno v:
Ukrainian Journal of Physics; Vol. 61 No. 1 (2016); 38
Український фізичний журнал; Том 61 № 1 (2016); 38
Український фізичний журнал; Том 61 № 1 (2016); 38
Electrophysical characteristics of gas-sensitive Ni – (95% In2O3 + 5% SnO2) – p-Si heterojunctions have been studied experimentally. The analysis of their current-voltage characteristics (CVCs) registered in various gas environments reveals a sig
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::20e40dbb2e4c6727838bc62a8fd3c680
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019126
https://ujp.bitp.kiev.ua/index.php/ujp/article/view/2019126
Autor:
O.M. Kostiukevych, R.V. Bogdanov
Publikováno v:
Materials Science-Poland, Vol 33, Iss 1, Pp 82-94 (2015)
A computer simulation program for discharge in a magnetron sputtering device with two erosion zones was developed. Basic laws of the graphite target sputtering process and transport of sputtered material to the substrate were taken into account in th
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::f8eaf47ed7372c7391d29a6dea2fe49f
https://doaj.org/article/2fa14fb32d6042a78175cc1d503cd667
https://doaj.org/article/2fa14fb32d6042a78175cc1d503cd667
Publikováno v:
Journal of Nano- and Electronic Physics. 9:01023-1
In present work we developed new memristive devices of sandwich-type Ni/TiOx/p-Si/Ni and planar one Ni/TiOx/p-Si/TiOx/Ni. A pinched hysteresis loop is observed for both device configurations and depends on supplementary illumination by UV/visual ligh
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::d54c4ea5e0b6d0f7de3a5f4eca5db755
https://doi.org/10.21272/jnep.9(1).01023
https://doi.org/10.21272/jnep.9(1).01023
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.