Zobrazeno 1 - 10
of 237
pro vyhledávání: '"O.K. Tan"'
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
Simonetta Capone, Luca Francioso, Pietro Siciliano, A. Forleo, O.K. Tan, Flavio Casino, H. Hui
Publikováno v:
NANO 2010, Roma, 2010
info:cnr-pdr/source/autori:Forleo, L. Francioso, S. Capone, F. Casino, P. Siciliano, H. Huang, O.K. Tan/congresso_nome:NANO 2010/congresso_luogo:Roma/congresso_data:2010/anno:2010/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine
info:cnr-pdr/source/autori:Forleo, L. Francioso, S. Capone, F. Casino, P. Siciliano, H. Huang, O.K. Tan/congresso_nome:NANO 2010/congresso_luogo:Roma/congresso_data:2010/anno:2010/pagina_da:/pagina_a:/intervallo_pagine
SnO 2 nanorods were successfully deposited on 3” Si/SiO 2 wafers by inductively coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) and a wafer-level patterning of nanorods layer for miniaturized solid state gas sensor fabrication were perfor
Publikováno v:
IEEE Transactions On Nanotechnology. 6:465-468
SnO2 nanorods were successfully deposited on substrate by inductively coupled plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) using dibutyltin diacetate (DBTDA) as the precursor. Each of the SnO2 nanorods in situ grown under catalyst- and template-
Publikováno v:
Thin Solid Films. 504:32-35
In this work, we have investigated the capacitance–voltage (C–V) and conductance–voltage (G–V) characteristics of silicon nanocrystals (nc-Si) distributed in the gate oxide very near the SiO2/Si interface of a Metal-Oxide-Semiconductor (MOS)
Publikováno v:
Polymer. 46:10045-10055
Diblock copolymers of t-butyl methacrylate (tBMA) and 2-(diethylamino)ethyl methacrylate (DEAEMA) were successfully synthesized by one-pot strategy via the atom transfer radical polymerization (ATRP). Kinetic results clearly demonstrated the controll
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Publikováno v:
IEEE Photonics Technology Letters. 17:1815-1817
The use of metal-oxide-SiO/sub 2/ composite to sustain random lasing in ZnO thin films is proposed. It is shown that the presence of stripe pattern in the metal-oxide-SiO/sub 2/ composite is necessary to minimize lasing threshold and achieve directio
Autor:
R. Jaaniso, O.K. Tan, N. Yamazoe, K. Shimanoe, N. Bârsan, M. Huebner, U. Weimar, S.P. Lee, M. Andersson, A. Lloyd Spetz, R. Pearce, F. Ren, S.J. Pearton, D. Briand, J. Courbat, F. Rettig, R. Moos, E. Comini, Z. Zhao, M.A. Carpenter, M.A. Petrukhina, Y Battie, O. Ducloux, T. Kerdcharoen, C. Wongchoosuk, V.M. Aroutiounian, R. Binions, A.J.T. Naik, D.-D. Lee, J.-C. Kim, P.K. Guha, S. Santra, J.W. Gardner, G. G Mandayo, J. Herrán
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::08a3b49ebd11f4bc5b1cbc9f5142a1cb
https://doi.org/10.1016/b978-0-85709-236-6.50019-8
https://doi.org/10.1016/b978-0-85709-236-6.50019-8