Zobrazeno 1 - 10
of 19
pro vyhledávání: '"O. Zimmerhackl"'
Autor:
L. Nyssens, M. Rack, M. Nabet, C. Schwan, Z. Zhao, S. Lehmann, T. Herrmann, D. Henke, A. Kondrat, C. Soonekindt, F. Koch, T. Kache, D. P. Kini, O. Zimmerhackl, F. Allibert, C. Aulnette, D. Lederer, J.-P. Raskin
Publikováno v:
2022 24th International Microwave and Radar Conference (MIKON).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::4b28989a9b4c16f5e0c6557774170a4c
https://doi.org/10.23919/mikon54314.2022.9924803
https://doi.org/10.23919/mikon54314.2022.9924803
Autor:
L. Pirro, A. Zaka, S. Morvan, O. Zimmerhackl, R. Nelluri, T. Hermann, M. Majer, H. Pagel, N. Wu, M. Otto, J. Hoentschel
Publikováno v:
2022 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::54791756f365b1d40b0cdb1ab3cbccae
https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa54299.2022.9771046
https://doi.org/10.1109/vlsi-tsa54299.2022.9771046
Autor:
L. Pirro, P. Liebscher, C. Brantz, M. Kessler, H. Herzog, O. Zimmerhackl, R. Jain, E. Ebrand, K. Gebauer, M. Otto, A. Zaka, J. Hoentschel
Publikováno v:
2022 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS).
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::b728204296c21fac0ffecd6e806444b9
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764532
https://doi.org/10.1109/irps48227.2022.9764532
Autor:
D. Lipp, Y. Raffel, A. Jayakumar, R. Olivo, R. Pfuetzner, R. Illgen, A. Muehlhoff, Jan Hoentschel, L. Pirro, Michael Otto, O. Zimmerhackl, Alban Zaka, Konrad Seidel
Publikováno v:
IRPS
In this work buried channel devices were successfully integrated in HKMG. Analog, noise and reliability performance have been reported and compared to a surface device. The devices were processed to have the same V Tsat for the nominal geometry of a
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::54120bc6f07b89a11389b90cbb78b2d2
https://doi.org/10.1109/irps46558.2021.9405122
https://doi.org/10.1109/irps46558.2021.9405122
Autor:
O. Zimmerhackl, Nigel Chan, T. Kleissner, Michael Otto, A. Jayakumar, Jan Hoentschel, L. Pirro
Publikováno v:
2020 IEEE 33rd International Conference on Microelectronic Test Structures (ICMTS).
An improved set of Scribe Line Monitors (SLMs) with high device densities have been designed for inline monitoring of Random Telegraph Noise (RTN) and transistor local mismatch. This infrastructure offers increased statistics from measurement on a si
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fafb046618057b376046e7f10f2615c4
https://doi.org/10.1109/icmts48187.2020.9107935
https://doi.org/10.1109/icmts48187.2020.9107935
Autor:
Tom Herrmann, O. Zimmerhackl, Alban Zaka, X. Li, Michael Otto, L. Pirro, Jan Hoentschel, R. Taylor, El Mehdi Bazizi
Publikováno v:
IRPS
The impact of device geometry, process integration and back bias on Low-Frequency Noise (LFN) performance of 22FDX® thin oxide devices has been investigated. Calibrated TCAD simulations were used to clarify the role of carrier distribution on LFN. M
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ae0cc08280bba20ba4be73ace229af26
https://doi.org/10.1109/irps.2019.8720419
https://doi.org/10.1109/irps.2019.8720419
Akademický článek
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
Autor:
M. Rack, L. Nyssens, M. Nabet, C. Schwan, Z. Zhao, S. Lehmann, T. Herrmann, D. Henke, A. Kondrat, C. Soonekindt, F. Koch, T. Kache, D. P. Kini, O. Zimmerhackl, F. Allibert, C. Aulnette, D. Lederer, J.-P. Raskin
Publikováno v:
2022 International Symposium on VLSI Technology, Systems and Applications (VLSI-TSA)
In this paper, GlobalFoundries’ 22 nm FD-SOI process was run on standard and high-resistivity wafers evaluating a PN junction interface passivation solution to counter parasitic surface conduction (PSC) effects. Substrate quality was monitored in t
Externí odkaz:
https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_dedup___::1a01e1b30c5126b1a952b569ca127203
Conference
Tento výsledek nelze pro nepřihlášené uživatele zobrazit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.
K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.